[發(fā)明專利]基板支撐部件及包括該基板支撐部件的基板處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811195803.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109686680B | 公開(公告)日: | 2023-06-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李相起 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 細(xì)美事有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11722 | 代理人: | 金丹;李強(qiáng) |
| 地址: | 韓國(guó)忠清南道天安*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 支撐 部件 包括 處理 裝置 | ||
1.一種基板支撐部件,用于支撐基板,其特征在于,
所述基板支撐部件包括:
氣體流路,向所述基板背面供給氣體,
所述氣體流路設(shè)置有氣體流動(dòng)限制部件,所述氣體流動(dòng)限制部件在所述氣體流路中沿氣體流動(dòng)方向?qū)怏w流動(dòng)進(jìn)行不同流量的限制,所述氣體流動(dòng)限制部件設(shè)置為,經(jīng)過所述氣體流路排氣時(shí)的氣體流量比經(jīng)過所述氣體流路供給氣體時(shí)的氣體流量大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板支撐部件,其特征在于,
所述氣體流動(dòng)限制部件可移動(dòng)地設(shè)置于所述氣體流路中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板支撐部件,其特征在于,
所述氣體流動(dòng)限制部件通過所述氣體的流動(dòng)而在所述氣體流路中移動(dòng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板支撐部件,其特征在于,
所述氣體流動(dòng)限制部件沿所述氣體流動(dòng)方向在所述氣體流路中移動(dòng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板支撐部件,其特征在于,
所述氣體流路包括:
收容部,可收容所述氣體流動(dòng)限制部件;以及
上部流路和下部流路,所述上部流路以所述收容部為中心,位于所述收容部的上方,所述下部流路以所述收容部為中心,位于所述收容部的下方,
所述收容部通過上部開口與所述上部流路相連通,通過下部開口與所述下部流路相連通,
所述氣體流動(dòng)限制部件無法通過所述上部開口及下部開口。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板支撐部件,其特征在于,
所述氣體流動(dòng)限制部件在收容部?jī)?nèi)進(jìn)行上升或下降,來堵截所述上部開口或下部開口,
所述氣體流動(dòng)限制部件堵截所述下部開口時(shí)的氣體流動(dòng)不受限的非堵截區(qū)域比所述氣體流動(dòng)限制部件在堵截所述上部開口時(shí)的氣體流動(dòng)不受限的非堵截區(qū)域大。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板支撐部件,其特征在于,
所述上部開口和所述下部開口的形狀有區(qū)別,使得所述氣體流動(dòng)限制部件堵截所述下部開口的非堵截區(qū)域比所述氣體流動(dòng)限制部件堵截所述上部開口時(shí)的非堵截區(qū)域大。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板支撐部件,其特征在于,
所述上部開口和所述下部開口的大小有區(qū)別,使得所述氣體流動(dòng)限制部件堵截所述下部開口時(shí)的非堵截區(qū)域比所述氣體流動(dòng)限制部件堵截所述上部開口時(shí)的非堵截區(qū)域大。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板支撐部件,其特征在于,
所述氣體流動(dòng)限制部件的形狀不同,使得所述氣體流動(dòng)限制部件堵截所述下部開口時(shí)的非堵截區(qū)域比所述氣體流動(dòng)限制部件堵截所述上部開口時(shí)的非堵截區(qū)域大。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板支撐部件,其特征在于,
所述氣體流動(dòng)限制部件的上部和下部的形狀不對(duì)稱。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板支撐部件,其特征在于,
所述氣體流動(dòng)限制部件內(nèi)形成有貫通流路,
所述氣體流動(dòng)限制部件堵截所述下部開口時(shí)經(jīng)過所述貫通流路的氣體流量比所述氣體流動(dòng)限制部件堵截所述上部開口時(shí)經(jīng)過所述貫通流路的氣體流量大。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板支撐部件,其特征在于,
所述貫通流路包括:
上部貫通流路及下部貫通流路,
當(dāng)所述氣體流動(dòng)限制部件堵截所述上部開口時(shí),所述上部貫通流路連通所述收容部和所述上部流路,
當(dāng)所述氣體流動(dòng)限制部件堵截所述下部開口時(shí),所述下部貫通流路連通所述收容部和所述下部流路,
所述下部貫通流路的直徑比所述上部貫通流路的直徑大。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





