[發明專利]半導體芯片的制造方法

有效

• 申請號: 201811195386.0
• 申請日: 2018-10-15
• 公開（公告）號: CN111048470B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 韋承宏;陳宏生
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;臧建明

本發明實施例提供一種半導體芯片的制造方法，包括：在基底上形成第一金屬圖案，其中第一金屬圖案位于基底的芯片區與切割區內，且切割區圍繞芯片區；在第一金屬圖案上形成金屬材料層；圖案畫金屬材料層，以移除金屬材料層的位于切割區內的實質上所有部分以及位于芯片區內的一部分，從而形成位于芯片區內的第二金屬圖案；形成第三金屬圖案，其中第三金屬圖案覆蓋芯片區內的第二金屬圖案，且位于切割區內的第一金屬圖案上；以及沿切割區進行單體化，以形成半導體芯片。

技術領域

本發明涉及一種半導體芯片的制造方法。

背景技術

目前的晶圓切割技術包括機械切割、激光切割以及等離子體切割等。隨著半導體元件的特征尺寸的縮小，每片半導體晶圓上所形成的半導體芯片的數量不斷提高。如此一來，以機械切割或激光切割所需的時間大幅增加。因此，近年來具有制程時間短等優點的等離子體切割逐漸受到重視。

然而，當半導體晶圓的切割道內含有不易蝕刻或可能產生不易清除的蝕刻副產物的金屬或合金(例如鋁或鋁合金)時，會阻礙等離子體切割制程的進行。此外，還可能降低半導體芯片封裝的良率。

發明內容

本發明提供一種半導體芯片的制造方法，可使等離子體切割制程順利地進行，且提高半導體芯片封裝的良率。

本發明的半導體芯片的制造方法包括：在基底上形成第一金屬圖案，其中第一金屬圖案位于基底的芯片區與切割區內，且切割區圍繞芯片區；在第一金屬圖案上形成金屬材料層；圖案畫金屬材料層，以移除金屬材料層的位于切割區內的實質上所有部分以及位于芯片區內的一部分，從而形成位于芯片區內的第二金屬圖案；形成第三金屬圖案，其中第三金屬圖案覆蓋芯片區內的第二金屬圖案，且位于切割區內的第一金屬圖案上；以及沿切割區進行單體化，以形成半導體芯片。

在本發明的一些實施例中，圖案畫金屬材料層的方法包括：在金屬材料層上形成光致抗蝕劑層；對光致抗蝕劑層進行第一曝光，以使光致抗蝕劑層具有第一可溶區，其中第一可溶區的分布范圍交疊于芯片區與切割區；對光致抗蝕劑層進行第二曝光，以使光致抗蝕劑層還具有第二可溶區，其中第二可溶區位于切割區內；進行顯影，以移除光致抗蝕劑層的第一可溶區與第二可溶區，以暴露出金屬材料層；以光致抗蝕劑層的殘留部分為遮罩移除金屬材料層的暴露部分，以形成第二金屬圖案；以及移除光致抗蝕劑層的殘留部分。

基于上述，本發明實施例通過在形成半導體芯片內的構件時同步移除切割區內有可能阻礙蝕刻制程的材料層，使得例如是等離子體切割制程的單體化步驟可順利地進行。如此一來，可提高半導體芯片封裝的良率與產能。在一些實施例中，在形成芯片區內的構件時同步移除切割區內有可能阻礙蝕刻制程的材料層的方法包括對用于圖案化此材料層的光致抗蝕劑進行兩次曝光。第一次曝光用于在芯片區與切割區內定義此材料層在此兩區中所預定形成的圖案，而第二次曝光用于移除此材料層在切割區內預定形成的圖案。如此一來，此材料層僅會在芯片區內形成預定的圖案，而在切割區中則實質上完全地被移除。在此些實施例中，僅需在預定的制程中另外加一道曝光制程即可移除此材料層的位于切割區內的部分而不影響芯片區內此材料層所欲形成的圖案，且不需改變預定制程的光罩設計。換言之，可避免大幅提高制造成本。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1是依照本發明一些實施例的半導體芯片的制造方法的流程圖；

圖2A至圖2K是在本發明一些實施例的半導體芯片的制造方法的各中間步驟的結構的剖視示意圖。

具體實施方式

圖1是依照本發明一些實施例的半導體芯片10的制造方法的流程圖。圖2A至圖2K是在本發明一些實施例的半導體芯片10的制造方法的各中間步驟的結構的剖視示意圖。