[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811195386.0
• 申請(qǐng)日: 2018-10-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111048470B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韋承宏;陳宏生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/78
• 分類號(hào): H01L21/78
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;臧建明

1.一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，包括：

在基底的芯片區(qū)與切割區(qū)上形成介電層，其中所述切割區(qū)圍繞所述芯片區(qū)；

在所述介電層中形成第一金屬圖案，其中所述第一金屬圖案在所述芯片區(qū)與所述切割區(qū)內(nèi)具有相同的高度；

在所述介電層與所述第一金屬圖案上形成金屬材料層，其中所述金屬材料層完整覆蓋所述介電層與所述第一金屬圖案；

圖案化所述金屬材料層，以移除所述金屬材料層的位于所述切割區(qū)內(nèi)的實(shí)質(zhì)上所有部分以及位于所述芯片區(qū)內(nèi)的一部分，從而形成位于所述芯片區(qū)內(nèi)的第二金屬圖案；

形成第三金屬圖案，其中所述第三金屬圖案的第一部分覆蓋所述芯片區(qū)內(nèi)的所述第二金屬圖案，所述第三金屬圖案的第二部分位于所述切割區(qū)內(nèi)的所述第一金屬圖案上，且所述第一部分的底面高于所述第二部分的底面；以及

沿所述切割區(qū)進(jìn)行單體化，以形成所述半導(dǎo)體芯片，

其中圖案化所述金屬材料層包括使用兩個(gè)不同的光罩而對(duì)形成于所述金屬材料層上的光致抗蝕劑層所進(jìn)行的兩次曝光，且包括對(duì)所述金屬材料層所進(jìn)行的單次移除。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，圖案化所述金屬材料層的方法包括：

在金屬材料層上形成光致抗蝕劑層；

對(duì)所述光致抗蝕劑層進(jìn)行第一曝光，以使所述光致抗蝕劑層具有第一可溶區(qū)，其中所述第一可溶區(qū)的分布范圍交疊于所述芯片區(qū)與所述切割區(qū)；

對(duì)所述光致抗蝕劑層進(jìn)行第二曝光，以使所述光致抗蝕劑層還具有第二可溶區(qū)，其中所述第二可溶區(qū)位于所述切割區(qū)內(nèi)；

進(jìn)行顯影，以移除所述光致抗蝕劑層的所述第一可溶區(qū)與所述第二可溶區(qū)，以暴露出所述金屬材料層；

以所述光致抗蝕劑層的殘留部分為遮罩移除所述金屬材料層的暴露部分，以形成所述第二金屬圖案；以及

移除所述光致抗蝕劑層的所述殘留部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，所述光致抗蝕劑層包括正型光致抗蝕劑材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，所述第一可溶區(qū)不與所述第二可溶區(qū)交疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，所述第二可溶區(qū)的分布范圍不與所述芯片區(qū)交疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，所述切割區(qū)的面積實(shí)質(zhì)上等于所述第一可溶區(qū)的位于所述切割區(qū)內(nèi)的部分的面積與所述第二可溶區(qū)的面積的總和。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，所述第三金屬圖案的所述第一部分電性連接所述芯片區(qū)內(nèi)的所述第二金屬圖案。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，進(jìn)行所述單體化的方法包括等離子體切割制程。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，所述第二金屬圖案的材料包括鋁。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，所述第一金屬圖案與所述第三金屬圖案的材料包括鎢。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，還包括重復(fù)進(jìn)行多次所述形成所述金屬材料層的步驟以及所述圖案化所述金屬材料層的步驟，其中所述多次第二曝光使用同一光罩。