[發(fā)明專利]一種微發(fā)光二極管芯片的轉移方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811194796.3 | 申請日: | 2018-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN109273565B | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳燕麗;李敏;徐強武;黃忠航;鄢群峰 | 申請(專利權)人: | 華映科技(集團)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;H01L21/683 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識產權代理有限公司 44414 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 350000 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發(fā)光二極管 芯片 轉移 方法 | ||
本發(fā)明適用于顯示技術領域,提供了一種微發(fā)光二極管芯片的轉移方法,包括以下步驟:提供中轉換基板,中轉換基板依次包括中間襯底、多個微發(fā)光二極管芯片、多個第一磁性層,以及多個第一結合層;提供接受基板,接受基板依次包括襯底基板、多個第二磁性層、多個第二結合層,以及磁性控制線路;將接受基板與中轉換基板對組,使得多個第一磁性層與多個第二磁性層一一對應;對磁性控制線路進行通電,第二磁性層具有磁性,使得第一磁性層與對應的第二磁性層磁吸,并且每一第一結合層與對應的第二結合層能夠相互結合,從而將所述微發(fā)光二極管芯片轉移到所述接受基板上,解決了目前納米級的微發(fā)光二極管芯片難以轉移至接受基板上的技術問題。
技術領域
本發(fā)明屬于顯示技術領域,特別涉及一種微發(fā)光二極管芯片的轉移方法。
背景技術
傳統(tǒng)液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD),構造是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶(Liquid Crystal),下基板玻璃上設置TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管),上基板玻璃上設置彩色濾光片(Color Filter,CF),通過TFT上的信號與電壓改變來控制液晶分子的轉動方向,從而達到控制每個像素點偏振光出射與否而達到顯示目的。傳統(tǒng)液晶顯示器,需要背光模組(Backlight Module)提供光源。傳統(tǒng)的液晶顯示器因其自身構造,造就了其對比度、色彩飽和度、壽命等較差的問題,同時由于其需求背光提供光源,因此傳統(tǒng)液晶顯示器薄型化方面也受限。雖然近年發(fā)展的有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)也為自發(fā)光,但其在應答速度、可視角、色彩飽和度等方面也較微發(fā)光二極管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)差。由于微發(fā)光二極管芯片的尺寸為納米級,因此如何將納米級的微發(fā)光二極管芯片轉移至接受基板上,是目前微發(fā)光二極管顯示器(Micro Light Emitting Diode Display,Micro LED Display)最大的難點。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種微發(fā)光二極管芯片的轉移方法,旨在解決目前納米級的微發(fā)光二極管芯片難以轉移至接受基板上的技術問題。
本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的,一種微發(fā)光二極管芯片的轉移方法,包括以下步驟:
提供中轉換基板,所述中轉換基板包括中間襯底、間隔設于所述中間襯底上的多個微發(fā)光二極管芯片、分別設于多個所述微發(fā)光二極管芯片上的多個第一磁性層,以及分別設于多個所述第一磁性層上的多個第一結合層;
提供接受基板,所述接受基板包括襯底基板、設于所述襯底基板上且分別對應多個所述第一磁性層的多個第二磁性層、分別設于多個所述第二磁性層上的多個第二結合層,以及設于所述襯底基板上且用于控制多個所述第二磁性層的磁性強弱的磁性控制線路,所述磁性控制線路與多個所述第二磁性層電性連接;
將所述接受基板的設有多個所述第二結合層的一面與所述中轉換基板的設有多個所述第一結合層的一面對組,使得多個所述第一磁性層與多個所述第二磁性層一一對應;
對所述磁性控制線路進行通電,使得每一所述第二磁性層與對應的所述第一磁性層磁吸。
進一步地,所述第一磁性層與所述第二磁性層均通過印刷或濺鍍的方式形成。
進一步地,所述第一結合層與所述第二結合層的材料均為合金材料。
進一步地,所述襯底基板包括多個子像素區(qū)域驅動電路層,多個所述微發(fā)光二極管芯片分別對應多個所述子像素區(qū)域驅動電路層設置。
進一步地,所述提供中轉換基板的步驟具體包括:
提供芯片襯底,在所述芯片襯底上形成多個間隔設置的所述微發(fā)光二極管芯片;
在每一所述微發(fā)光二極管芯片上形成所述第一磁性層;
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