[發(fā)明專利]一種微發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811194796.3
• 申請(qǐng)日: 2018-10-15
• 公開（公告）號(hào): CN109273565B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳燕麗;李敏;徐強(qiáng)武;黃忠航;鄢群峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華映科技（集團(tuán)）股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L21/683
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 張全文

1.一種微發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供中轉(zhuǎn)換基板，所述中轉(zhuǎn)換基板包括中間襯底、間隔設(shè)于所述中間襯底上的多個(gè)微發(fā)光二極管芯片、分別設(shè)于多個(gè)所述微發(fā)光二極管芯片上的多個(gè)第一磁性層，以及分別設(shè)于多個(gè)所述第一磁性層上的多個(gè)第一結(jié)合層；

提供接受基板，所述接受基板包括襯底基板、設(shè)于所述襯底基板上且分別對(duì)應(yīng)多個(gè)所述第一磁性層的多個(gè)第二磁性層、分別設(shè)于多個(gè)所述第二磁性層上的多個(gè)第二結(jié)合層，以及設(shè)于所述襯底基板上且用于控制多個(gè)所述第二磁性層的磁性強(qiáng)弱的磁性控制線路，所述磁性控制線路分別與多個(gè)所述第二磁性層電性連接；

將所述接受基板的設(shè)有多個(gè)所述第二結(jié)合層的一面與所述中轉(zhuǎn)換基板的設(shè)有多個(gè)所述第一結(jié)合層的一面對(duì)組，使得多個(gè)所述第一磁性層與多個(gè)所述第二磁性層一一對(duì)應(yīng)；

對(duì)所述磁性控制線路進(jìn)行通電，使得每一所述第二磁性層與對(duì)應(yīng)的所述第一磁性層磁吸；

剝離所述中間襯底，所述第一結(jié)合層與所述第二結(jié)合層的材料均為合金材料，將每一所述第一結(jié)合層與對(duì)應(yīng)的所述第二結(jié)合層焊接；

所述提供中轉(zhuǎn)換基板的步驟具體包括：

提供芯片襯底，在所述芯片襯底上形成多個(gè)間隔設(shè)置的所述微發(fā)光二極管芯片；

在每一所述微發(fā)光二極管芯片上形成所述第一磁性層；

在每一所述第一磁性層上形成所述第一結(jié)合層；

提供所述中間襯底，將所述微發(fā)光二極管芯片從所述芯片襯底上剝離并設(shè)置在所述中間襯底上，從而形成所述中轉(zhuǎn)換基板，所述第一結(jié)合層設(shè)于所述第一磁性層遠(yuǎn)離所述中間襯底的一側(cè)。

2.如權(quán)利要求1所述的微發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述第一磁性層與所述第二磁性層均通過印刷或?yàn)R鍍的方式形成。

3.如權(quán)利要求1所述的微發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述襯底基板包括多個(gè)子像素區(qū)域驅(qū)動(dòng)電路層，多個(gè)所述微發(fā)光二極管芯片分別對(duì)應(yīng)多個(gè)所述子像素區(qū)域驅(qū)動(dòng)電路層設(shè)置。

4.如權(quán)利要求1所述的微發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述微發(fā)光二極管芯片為垂直結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管芯片、正裝結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管芯片或者倒裝結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管芯片。

5.如權(quán)利要求4所述的微發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，當(dāng)所述微發(fā)光二極管芯片為垂直結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管芯片時(shí)，每一所述第一磁性層設(shè)于對(duì)應(yīng)的微發(fā)光二極管芯片的正電極面上；

當(dāng)所述微發(fā)光二極管芯片為正裝結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管芯片或者倒裝結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管芯片時(shí)，每一所述第一磁性層設(shè)于對(duì)應(yīng)的微發(fā)光二極管芯片的電極面上。

6.如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的微發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述中間襯底上設(shè)有定位標(biāo)記。

7.如權(quán)利要求6所述的微發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述將所述接受基板與所述中轉(zhuǎn)換基板對(duì)組的步驟具體包括：

提供機(jī)械手、機(jī)臺(tái)以及輔助顯微鏡，所述輔助顯微鏡具有攝像頭，所述機(jī)械手吸附所述接受基板，所述機(jī)臺(tái)吸附所述中轉(zhuǎn)換基板；

通過所述攝像頭識(shí)別所述中轉(zhuǎn)換基板的定位標(biāo)記，同時(shí)移動(dòng)所述機(jī)械手使得所述接受基板位于所述中轉(zhuǎn)換基板的正上方；

所述機(jī)械手朝所述中轉(zhuǎn)換基板垂直移動(dòng)，使所述接受基板的設(shè)有多個(gè)所述第二結(jié)合層的一面與所述中轉(zhuǎn)換基板的設(shè)有多個(gè)所述第一結(jié)合層的一面對(duì)組。