[發明專利]一種抗輻照氟化鈰晶體的制作方法在審
| 申請號： | 201811194712.6 | 申請日： | 2018-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN109252208A | 公開（公告）日： | 2019-01-22 |
| 發明（設計）人： | 朱勤輝;張林;趙星 | 申請（專利權）人： | 江蘇萬邦微電子有限公司 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00;C30B29/12 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 210000 江蘇省南京市玄武*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氟化鈰 晶體的 透光率 制作 生長 輻照 熔點 惰性氣體 含氟氣體 密封模具 石墨坩堝 溫度梯度 壓制成錠 氟塑料 高純鈰 靜水壓 慢分量 氫氟酸 溫度降 焊封 料錠 爐內 熔融 熔體 坩鍋 制備 脫水 裝入 | ||
【權利要求書】：
1.一種抗輻照氟化鈰晶體的制作方法，包括以下步驟：第一步：.用高純鈰鹽和氫氟酸制備純度99.9％的氟化鈰原料，雜質含量達10-6級；第二步：在130-150℃溫度下進行脫水；第三步：在氟塑料密封模具中，用靜水壓壓制成錠；第四步：將料錠裝入石墨坩堝上，充入惰性氣體或含氟氣體，焊封坩鍋；第五步：制作時熔體溫度高于其熔點200℃，以0.8-1.6mm/小時生長速率下降生 長，爐內保持10-3a真空度，生長的溫度梯度為20-30℃/cm；第六步：完成后從生長熔融溫度降到200℃，然后自然冷卻到室溫，完成制作。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的石墨坩堝加熱方式為：通過采用4根直型硅化鉬主發熱棒，爐膛每邊設置2根，用電熱絲做成輔助加熱器。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于：所述硅化鉬棒主發熱體采用JWT-702溫度控制儀進行控制，輔助加熱器采用變壓器進行控制。
4.如權利要求1-3任一權利要求所述的方法，其特征在于：所述靜水壓機的壓強為2.0-2.3噸/cm2。
5.如權利要求1-3任一權利要求所述的方法，其特征在于：所述的石墨坩堝壁厚為0.20mm。
6.如權利要求1-3任一權利要求所述的方法，其特征在于：所述的惰性氣體是：Ar，含氟氣體是：CF4、BF3、HF的一種或者多種的混合。
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