[發(fā)明專利]一種晶片承載盤、研磨機、拋光機、研磨方法及拋光方法

在審

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• 申請日: 2018-10-12
• 公開（公告）號: CN109290937A
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 肖亞東;劉國軍;談笑天
• 申請（專利權(quán)）人: 漢能新材料科技有限公司
• 主分類號: B24B37/00
• 分類號: B24B37/00;B24B1/00
• 代理公司: 北京華夏泰和知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11662
• 代理人: 孟德棟

本發(fā)明提供了一種晶片承載盤、研磨機、拋光機、研磨方法及拋光方法，涉及工業(yè)生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。晶片承載盤，包括：母輪和子輪，所述母輪上開設(shè)有若干圓形通孔，所述子輪的數(shù)量與所述圓形通孔的數(shù)量相同，所述子輪放置于所述圓形通孔內(nèi)，且所述子輪的外輪廓與所述圓形通孔吻合，所述子輪能夠在所述圓形通孔內(nèi)轉(zhuǎn)動，所述子輪上開設(shè)有晶片放置孔。本發(fā)明提供的晶片承載盤，使用時，在拋光機拋光過程中，母輪帶動子輪相較于上、下拋光盤轉(zhuǎn)動時，由于子輪也是圓形的，所以子輪的能夠在摩擦力的作用下，帶動放置在其晶片放置孔內(nèi)的晶片一起相較于母輪轉(zhuǎn)動，從而提高晶片的拋光效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種晶片承載盤、研磨機、拋光機、研磨方法及拋光方法。

背景技術(shù)

目前，太陽能電池被廣泛應(yīng)用于各大領(lǐng)域，而半導(dǎo)體晶片是太陽能電池的重要組成元件。半導(dǎo)體晶片在生產(chǎn)過程中要經(jīng)過研磨和拋光等工序。傳統(tǒng)應(yīng)用的半導(dǎo)體晶片絕大部分都是圓形晶片，所以現(xiàn)有的研磨機和拋光機，絕大部分都是根據(jù)圓形晶片進行相應(yīng)的匹配設(shè)計；即使有其它異形晶片，也是在圓形晶片的設(shè)備、工藝基礎(chǔ)上進行研磨、拋光處理，得到的異形晶片的表面平整度等參數(shù)就比較差，難以大批量生產(chǎn)，且成本較高。

拿拋光機舉例，現(xiàn)有拋光機的承載盤上具有圓形的晶片放置孔(如圖1所示)，拋光過程中，承載盤能夠帶動其上放置的圓形晶片相較于上、下拋光盤轉(zhuǎn)動。同時，由于晶片是圓形的，圓形晶片在隨承載盤一起相較于上、下拋光盤轉(zhuǎn)動時，圓形晶片本身也能在摩擦力的作用下相較于承載盤轉(zhuǎn)動。以此增強拋光效果。研磨時的原理與拋光類似，此處不加贅述。

但由于太陽能電池多為矩形的，所以圓形晶片在應(yīng)用之前還要再次進行切割，將其切割成矩形，但這樣一來，由于圓形晶片的邊緣都是弧線形的。切割后會產(chǎn)生很多的切割廢料。

現(xiàn)有的一些拋光機為了能夠直接對矩形的晶片進行拋光，將承載盤上圓形的晶片放置孔更改為了矩形的。但如此一來，由于晶片是矩形的，故而，在矩形晶片隨承載盤相較于上、下拋光盤轉(zhuǎn)動時，矩形晶片無法相較于承載盤轉(zhuǎn)動，導(dǎo)致拋光效果不佳。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種晶片承載盤、研磨機、拋光機、研磨方法及拋光方法，旨在改善現(xiàn)有設(shè)備無法對矩形晶片進行良好的研磨與拋光的問題。

本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的：

一種晶片承載盤，包括：母輪和子輪，所述母輪上開設(shè)有若干圓形通孔，所述子輪的數(shù)量與所述圓形通孔的數(shù)量相同，所述子輪放置于所述圓形通孔內(nèi)，且所述子輪的外輪廓與所述圓形通孔吻合，所述子輪能夠在所述圓形通孔內(nèi)轉(zhuǎn)動，所述子輪上開設(shè)有晶片放置孔。

進一步地，在本發(fā)明較佳的實施例中，所述晶片放置孔為矩形通孔。

進一步地，在本發(fā)明較佳的實施例中，所述子輪的厚度與所述母輪相等。

進一步地，在本發(fā)明較佳的實施例中，所述母輪的外周面設(shè)有鋸齒結(jié)構(gòu)。

進一步地，在本發(fā)明較佳的實施例中，圓形通孔和所述子輪的數(shù)量均為四個。

進一步地，在本發(fā)明較佳的實施例中，所述子輪的直徑與所述母輪的直徑之比為1/4-1/3。

一種研磨機，包括上研磨盤、下研磨盤、研磨液輸送組件以及晶片承載盤，所述晶片承載盤為上述任一項所述的晶片承載盤。

一種拋光機，包括上拋光盤、下拋光盤、拋光液輸送組件以及晶片承載盤，所述晶片承載盤為上述任一項所述的晶片承載盤。

一種研磨方法，使用上述的研磨機，包括以下步驟：

將晶片打磨成與所述晶片放置孔相同的形狀和大小；

對打磨后的晶片進行腐蝕清洗；

將腐蝕清洗后的晶片放入所述晶片放置孔內(nèi)后，所述研磨機開始對所述晶片進行研磨；