[發明專利]一種晶片承載盤、研磨機、拋光機、研磨方法及拋光方法在審
| 申請號： | 201811191223.5 | 申請日： | 2018-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN109290937A | 公開（公告）日： | 2019-02-01 |
| 發明（設計）人： | 肖亞東;劉國軍;談笑天 | 申請（專利權）人： | 漢能新材料科技有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/00 | 分類號： | B24B37/00;B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京華夏泰和知識產權代理有限公司 11662 | 代理人： | 孟德棟 |
| 地址： | 101407 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 子輪 圓形通孔 母輪 轉動 晶片承載盤 晶片放置 研磨 承載盤 拋光機 研磨機 拋光 晶片 種晶 工業生產技術 拋光機拋光 拋光效果 拋光盤 外輪廓 吻合 | ||
1.一種晶片承載盤，其特征在于，包括：母輪和子輪，所述母輪上開設有若干圓形通孔，所述子輪的數量與所述圓形通孔的數量相同，所述子輪放置于所述圓形通孔內，且所述子輪的外輪廓與所述圓形通孔吻合，所述子輪能夠在所述圓形通孔內轉動，所述子輪上開設有晶片放置孔。
2.根據權利要求1所述的晶片承載盤，其特征在于，所述晶片放置孔為矩形通孔。
3.根據權利要求1所述的晶片承載盤，其特征在于，所述子輪的厚度與所述母輪相等。
4.根據權利要求1所述的晶片承載盤，其特征在于，所述母輪的外周面設有鋸齒結構。
5.根據權利要求1所述的晶片承載盤，其特征在于，圓形通孔和所述子輪的數量均為四個。
6.根據權利要求1所述的晶片承載盤，其特征在于，所述子輪的直徑與所述母輪的直徑之比為1/4-1/3。
7.一種研磨機，其特征在于，包括上研磨盤、下研磨盤、研磨液輸送組件以及晶片承載盤，所述晶片承載盤為權利要求1-6任一項所述的晶片承載盤。
8.一種拋光機，其特征在于，包括上拋光盤、下拋光盤、拋光液輸送組件以及晶片承載盤，所述晶片承載盤為權利要求1-6任一項所述的晶片承載盤。
9.一種研磨方法，使用權利要求7所述的研磨機，其特征在于，包括以下步驟：
將晶片打磨成與所述晶片放置孔相同的形狀和大小；
對打磨后的晶片進行腐蝕清洗；
將腐蝕清洗后的晶片放入所述晶片放置孔內后，所述研磨機開始對所述晶片進行研磨；
所述上研磨盤的轉速為2-5r/min，所述下研磨盤的轉速為8-12r/min，所述研磨液輸送組件的輸液量為50-150ml/min；
對研磨后的晶片再次進行腐蝕清洗。
10.一種拋光方法，使用權利要求8所述的拋光機，其特征在于，包括粗拋光工序和精拋光工序；
粗拋光工序包括以下步驟：
將晶片放入所述晶片放置孔內后，所述拋光機開始對所述晶片進行拋光；
所述上拋光盤的轉速為5-10r/min，所述下拋光盤的轉速為15-25r/min，所述拋光液輸送組件的輸液量為1000-3000ml/min，所述拋光機的拋光壓力為5-15MPa；
晶片厚度加工到675±10um后，對拋光后的晶片進行清洗和甩干；
精拋光工序包括以下步驟：
將晶片放入所述晶片放置孔內后，所述拋光機開始對所述晶片進行拋光；
所述上拋光盤的轉速為5-10r/min，所述下拋光盤的轉速為15-25r/min，所述拋光液輸送組件的輸液量為1000-3000ml/min，所述拋光機的拋光壓力為5-15MPa；
晶片厚度加工到650±25um后，對拋光后的晶片進行清洗和甩干。
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