[發明專利]集成電路存儲器裝置及其操作方法

在審

• 申請號: 201811190300.5
• 申請日: 2018-10-12
• 公開（公告）號: CN110069357A
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發明（設計）人: 延應準;金范俊
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F11/07
• 分類號: G06F11/07;G06F3/06
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

一種集成電路裝置包括非易失性存儲器、第一緩沖存儲器和第二緩沖存儲器以及控制器。第一緩沖存儲器和第二緩沖存儲器中的每一個被構造為響應于寫請求緩沖將被寫入非易失性存儲器的寫數據，并且還響應于讀請求緩沖從非易失性存儲器接收到的讀數據。提供了控制器，其基于與數據準確性有關的至少一個標準評價第一緩沖存儲器。所述控制器被構造為：當評價揭示超過標準時，響應于寫請求將寫數據中的至少一些從第一緩沖存儲器重定向至第二緩沖存儲器，并且當評價揭示超過標準時，響應于讀請求將讀數據中的至少一些從第一緩沖存儲器重定向至第二緩沖存儲器。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年1月22日提交的韓國專利申請No.10-2018-0007894的優先權，該申請的公開以引用方式全文并入本文中。

技術領域

本發明構思涉及集成電路裝置，并且更具體地說，涉及集成電路存儲器裝置及其操作方法。

背景技術

近來，廣泛使用諸如固態盤(SSD)的儲存裝置。例如，儲存裝置可包括諸如閃速存儲器的非易失性存儲器和控制非易失性存儲器的控制器。例如，控制器可包括諸如靜態隨機存取存儲器(SRAM)的內部存儲器。隨著儲存裝置的輸入/輸出速度增大并且儲存容量增大，包括在控制器中的內部存儲器的容量和功能增大。作為響應，在內部存儲器中可能發生軟錯誤，因此，儲存裝置的可靠性可能變差。

發明內容

根據本發明構思的一方面，提供了一種儲存裝置，該儲存裝置包括非易失性存儲器和控制器，所述控制器包括第一存儲器，其緩沖將寫在非易失性存儲器上的寫數據或者緩沖從非易失性存儲器讀取的讀數據。控制器被構造為基于在第一存儲器中產生的錯誤位的數量或錯誤位的產生頻率動態地確定用于緩沖寫數據或讀數據的緩沖存儲器。還提供了第二存儲器，其被構造為當錯誤位的數量或錯誤位的產生頻率等于或高于閾值時緩沖寫數據或讀數據。

根據本發明構思的另一方面，提供了一種儲存裝置，該儲存裝置包括：非易失性存儲器；和控制器，其包括存儲器，所述存儲器包括用于緩沖將寫在非易失性存儲器上的寫數據或者從非易失性存儲器讀出的讀數據的緩沖區，其中控制器被構造為基于在緩沖區中產生的錯誤位的數量或錯誤位的產生頻率動態地確定關于存儲器的只讀區的再寫周期，并且根據確定的再寫周期動態地控制關于只讀區的再寫操作。

根據本發明構思的另一方面，提供了一種操作包括非易失性存儲器和控制器的儲存裝置的方法，所述控制器被構造為控制非易失性存儲器。所述方法可包括：通過控制器監測在包括在控制器中的第一存儲器中產生的錯誤位的數量或錯誤位的產生頻率；通過控制器將錯誤位的數量或錯誤位的產生頻率與閾值進行比較；當錯誤位的數量或錯誤位的產生頻率等于或高于閾值時，在設置在控制器外的第二存儲器上緩沖將寫在非易失性存儲器上的寫數據或從非易失性存儲器讀出的讀數據；以及當錯誤位的數量或錯誤位的產生頻率低于閾值時，在第一存儲器上緩沖寫數據或讀數據。

根據本發明構思的另一方面，提供了一種操作包括非易失性存儲器和控制器的儲存裝置的方法，所述控制器被構造為控制非易失性存儲器。所述方法可包括：通過控制器監測在包括在控制器中的存儲器的緩沖區中產生的錯誤位的數量或者錯誤位的產生頻率；通過控制器基于錯誤位的數量或者錯誤位的產生頻率動態地確定關于存儲器的只讀區的再寫周期；以及通過控制器根據再寫周期動態地控制關于只讀區的再寫操作。