[發(fā)明專利]集成電路存儲器裝置及其操作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811190300.5
• 申請日: 2018-10-12
• 公開（公告）號: CN110069357A
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 延應(yīng)準(zhǔn);金范俊
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F11/07
• 分類號: G06F11/07;G06F3/06
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

1.一種集成電路裝置，包括：

非易失性存儲器；

第一緩沖存儲器，其被構(gòu)造為分別響應(yīng)于寫請求緩沖將被寫入所述非易失性存儲器的寫數(shù)據(jù)以及響應(yīng)于讀請求緩沖從所述非易失性存儲器接收到的讀數(shù)據(jù)；

第二緩沖存儲器，其被構(gòu)造為分別響應(yīng)于寫請求緩沖將被寫入所述非易失性存儲器的寫數(shù)據(jù)以及響應(yīng)于讀請求緩沖從所述非易失性存儲器接收到的讀數(shù)據(jù)；以及

控制器，其耦接至所述第一緩沖存儲器和所述第二緩沖存儲器，所述控制器被構(gòu)造為基于與存儲在所述第一緩沖存儲器中的數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性有關(guān)的至少一個標(biāo)準(zhǔn)評價所述第一緩沖存儲器，并且還被構(gòu)造為：(i)當(dāng)所述評價揭示超過所述標(biāo)準(zhǔn)時，響應(yīng)于寫請求將寫數(shù)據(jù)中的至少一些從所述第一緩沖存儲器重定向至所述第二緩沖存儲器，以及(i i)當(dāng)所述評價揭示超過所述標(biāo)準(zhǔn)時，響應(yīng)于讀請求將讀數(shù)據(jù)中的至少一些從所述第一緩沖存儲器重定向至所述第二緩沖存儲器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其中，所述至少一個標(biāo)準(zhǔn)是存儲在所述第一緩沖存儲器中的錯誤數(shù)據(jù)位的數(shù)量的函數(shù)或者是所述第一緩沖存儲器中的錯誤位產(chǎn)生頻率的函數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，其中，所述控制器包括緩沖管理器，其被構(gòu)造為基于所述至少一個標(biāo)準(zhǔn)評價所述第一緩沖存儲器。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，其中，所述控制器包括錯誤檢查與校正模塊，其被構(gòu)造為檢查和校正存儲在所述第一緩沖存儲器中的數(shù)據(jù)的錯誤。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其中，所述第一緩沖存儲器是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，所述第二緩沖存儲器是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。

6.一種儲存裝置，包括：

非易失性存儲器；

控制器，其包括第一存儲器，所述第一存儲器被構(gòu)造為緩沖將寫在所述非易失性存儲器上的寫數(shù)據(jù)或者緩沖從所述非易失性存儲器讀取的讀數(shù)據(jù)，所述控制器被構(gòu)造為基于在所述第一存儲器中產(chǎn)生的錯誤位的數(shù)量或者所述錯誤位的產(chǎn)生頻率動態(tài)地確定用于緩沖所述寫數(shù)據(jù)或所述讀數(shù)據(jù)的緩沖存儲器；以及

第二存儲器，其被構(gòu)造為當(dāng)所述錯誤位的數(shù)量或所述錯誤位的產(chǎn)生頻率等于或高于閾值時緩沖所述寫數(shù)據(jù)或所述讀數(shù)據(jù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的儲存裝置，其中，所述控制器還包括緩沖管理器，其被構(gòu)造為將所述錯誤位的數(shù)量或所述錯誤位的產(chǎn)生頻率與所述閾值進(jìn)行比較，當(dāng)所述數(shù)量或所述產(chǎn)生頻率低于所述閾值時，將所述第一存儲器確定為所述緩沖存儲器，并且當(dāng)所述數(shù)量或所述產(chǎn)生頻率等于或高于所述閾值時，將所述第二存儲器確定為所述緩沖存儲器。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的儲存裝置，其中，所述控制器還包括監(jiān)測模塊，其被構(gòu)造為通過將輸入至所述第一存儲器的數(shù)據(jù)與從所述第一存儲器輸出的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較來監(jiān)測所述錯誤位的數(shù)量或所述錯誤位的產(chǎn)生頻率。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的儲存裝置，其中，所述控制器還包括錯誤檢查與校正模塊，其被構(gòu)造為對在所述第一存儲器中緩沖的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯誤檢查與校正操作。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的儲存裝置，其中，所述控制器還包括監(jiān)測模塊，其被構(gòu)造為基于通過所述錯誤檢查與校正模塊校正的錯誤來監(jiān)測所述錯誤位的數(shù)量或所述錯誤位的產(chǎn)生頻率。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的儲存裝置，其中，所述控制器還被構(gòu)造為監(jiān)測寫數(shù)據(jù)或讀數(shù)據(jù)的輸入/輸出速度，并且基于所述輸入/輸出速度動態(tài)地確定所述緩沖存儲器。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的儲存裝置，其中，所述控制器還包括緩沖管理器，其被構(gòu)造為將所述輸入/輸出速度與閾速度進(jìn)行比較，當(dāng)所述輸入/輸出速度低于所述閾速度時，將所述第一存儲器確定為所述緩沖存儲器，并且當(dāng)所述輸入/輸出速度等于或高于所述閾速度時，將所述第二存儲器確定為所述緩沖存儲器。