[發(fā)明專利]集成電路單元在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811189027.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110828448A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 賴韋安;莊惠中;曾健庭;林威呈;袁立本;陳彥豪 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/02 | 分類號(hào): | H01L27/02;H01L27/088 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 康艷青;姚開(kāi)麗 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路 單元 | ||
1.一種集成電路單元,包括:
第一電路組件,包括在所述集成電路單元的高鰭片部分中形成的鰭片場(chǎng)效晶體管,所述集成電路的所述高鰭片部分包括成行布置的多個(gè)鰭片結(jié)構(gòu);以及
第二電路組件,包括在所述集成電路單元的較少鰭片部分中形成的鰭片場(chǎng)效晶體管,所述集成電路的所述較少鰭片部分比所述集成電路單元的所述高鰭片部分包括更少數(shù)目的鰭片結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





