[發(fā)明專利]印刷電路板、半導(dǎo)體封裝件及制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811183513.5
• 申請(qǐng)日: 2018-10-11
• 公開（公告）號(hào): CN109698176A
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高知韓;姜寶藍(lán);金東寬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/492
• 分類號(hào): H01L23/492;H01L23/498
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體封裝件和印刷電路板。該半導(dǎo)體封裝件可包括：基板和在所述基板上的半導(dǎo)體芯片。第一模制部分可覆蓋所述半導(dǎo)體芯片且可包括彼此相對(duì)的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁。第二模制部分可沿著所述第一側(cè)壁和沿著所述第二側(cè)壁在所述基板上延伸，其中，所述第一模制部分可包括非導(dǎo)電材料，且所述第二模制部分可包括導(dǎo)電材料。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2017年10月24日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2017-0138134的權(quán)益，其公開內(nèi)容通過引用以其整體并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思涉及印刷電路板(PCB)、半導(dǎo)體封裝件和制造半導(dǎo)體封裝件的方法。

背景技術(shù)

隨著移動(dòng)裝置(如，智能電話)尺寸越來(lái)越小，重量越來(lái)越輕以及性能越來(lái)越高，半導(dǎo)體封裝件可以變得越來(lái)越薄且越來(lái)越高度集成。因此，存在對(duì)薄基板的日益增長(zhǎng)的需求。

然而，薄基板可導(dǎo)致工藝缺陷。例如，由于降低的硬度，在制造半導(dǎo)體封裝件的過程期間，薄基板可彎曲或裂開。治具或夾具可以用來(lái)補(bǔ)償基板硬度的降低。然而，這種方法可引入新的設(shè)備和工藝。

此外，隨著半導(dǎo)體封裝件變得越來(lái)越薄且越來(lái)越高度集成，電磁干擾(EMI)可以增加。

發(fā)明內(nèi)容

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件可以包括基板和在基板上的半導(dǎo)體芯片。第一模制部分可以覆蓋所述半導(dǎo)體芯片且可以包括彼此相對(duì)的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁。第二模制部分可以沿著所述第一側(cè)壁和沿著所述第二側(cè)壁在所述基板上延伸，其中，所述第一模制部分可以包括非導(dǎo)電材料，并且所述第二模制部分可以包括導(dǎo)電材料。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件可以包括基板和在基板上的半導(dǎo)體芯片。第一模制部分可以在所述基板上并可以覆蓋所述半導(dǎo)體芯片。第二模制部分可以在所述基板上并可以沿著所述第一模制部分的側(cè)壁延伸。第三模制部分可以覆蓋所述第一模制部分的最上表面和所述第二模制部分的最上表面，其中，所述第二模制部分和所述第三模制部分可以包括導(dǎo)電環(huán)氧樹脂模塑料。

在一些實(shí)施例中，印刷電路板(PCB)可以包括基板，其包括沿著第一方向彼此鄰近的第一安裝區(qū)域和第二安裝區(qū)域，其中，所述第一安裝區(qū)域和所述第二安裝區(qū)域被配置成在其上安裝集成電路。模制結(jié)構(gòu)可以在所述基板上并可以包括導(dǎo)電材料，其中，所述模制結(jié)構(gòu)可以包括外圍部分和第一條，所述外圍部分沿著所述基板的邊緣延伸，所述第一條將所述第一安裝區(qū)域和所述第二安裝區(qū)域隔開。

附圖說(shuō)明

根據(jù)以下結(jié)合附圖進(jìn)行的實(shí)施例的描述，這些和/或其他方面將變得顯而易見且更容易理解，在附圖中：

圖1是根據(jù)實(shí)施例的PCB的示意性頂視圖；

圖2是沿著圖1的線A-A’截取的示意性截面圖；

圖3是沿著圖1的線B-B’截取的示意性截面圖；

圖4是根據(jù)實(shí)施例的PCB的示意性頂視圖；

圖5是沿著圖4的線C-C’截取的示意性截面圖；

圖6是沿著圖4的線D-D’截取的示意性截面圖；

圖7A至圖7C是根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的示意性頂視圖；

圖8是沿著圖7A的線E-E’截取的示意性截面圖；

圖9是根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的示意性頂視圖；

圖10是沿著圖9的線F-F’截取的示意性截面圖；

圖11是根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的示意性頂視圖；

圖12是沿著圖11的線G-G’截取的示意性截面圖；