[發明專利]制造集成電路器件的方法

有效

• 申請號: 201811182469.6
• 申請日: 2018-10-11
• 公開（公告）號: CN109755178B
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發明（設計）人: 姜東佑;柳志昊;姜棟薰;金善培;樸文漢
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/266
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種制造集成電路器件的方法，所述方法包括：

在襯底中形成多個鰭型有源區；

在所述多個鰭型有源區上形成擴散緩沖層，以阻止氧擴散到所述多個鰭型有源區中，所述擴散緩沖層具有平的頂表面和擁有凹凸形狀的底表面；

在所述擴散緩沖層上形成含碳層；

通過使用包含氧原子的蝕刻氣體蝕刻所述含碳層而形成含碳掩模圖案，所述含碳掩模圖案具有暴露所述擴散緩沖層的一部分的開口；以及

使用所述含碳掩模圖案作為離子注入掩模使雜質離子經由所述開口和所述擴散緩沖層注入到一組鰭型有源區中。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述擴散緩沖層包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氮化物、硅碳化物、硅氧碳化物、硅氧碳氮化物和多晶硅中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在形成所述多個鰭型有源區之后并且在形成所述擴散緩沖層之前，形成隔離膜以填充所述多個鰭型有源區之間的空間，

其中所述擴散緩沖層的覆蓋所述多個鰭型有源區的第一部分的厚度大于所述擴散緩沖層的覆蓋所述隔離膜的第二部分的厚度。

4.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述含碳掩模圖案包括使用包含COS和SO₂中的至少一種的蝕刻氣體來蝕刻所述含碳層。

5.根據權利要求1所述的方法，在形成所述含碳掩模圖案期間，還包括在所述擴散緩沖層中形成氧擴散區，所述氧擴散區與所述擴散緩沖層的底表面間隔開。

6.一種制造集成電路器件的方法，所述方法包括：

在具有多個鰭型有源區的襯底上形成擴散緩沖層，所述擴散緩沖層具有平的頂表面和擁有凹凸形狀的底表面；

在所述擴散緩沖層上形成第一掩模堆疊結構；

通過蝕刻所述第一掩模堆疊結構而形成第一掩模圖案，所述第一掩模圖案具有暴露所述擴散緩沖層的第一區的第一開口并且覆蓋所述擴散緩沖層的第二區；

使用所述第一掩模圖案作為離子注入掩模使第一雜質離子經由所述第一開口和所述擴散緩沖層的所述第一區注入到第一組鰭型有源區中；以及

通過去除所述第一掩模圖案而暴露所述擴散緩沖層的所述第二區。

7.根據權利要求6所述的方法，其中

所述第一掩模堆疊結構包括含碳層，以及

形成所述第一掩模圖案包括在包含氧原子的蝕刻氣氛中蝕刻所述含碳層。

8.根據權利要求6所述的方法，在形成所述第一掩模圖案期間，還包括在所述擴散緩沖層的所述第一區中形成第一氧擴散區，所述第一氧擴散區與所述擴散緩沖層的底表面間隔開。

9.根據權利要求6所述的方法，其中所述擴散緩沖層的覆蓋所述多個鰭型有源區的部分的厚度大于所述擴散緩沖層的覆蓋所述多個鰭型有源區之間的空間的部分的厚度。

10.根據權利要求6所述的方法，其中所述擴散緩沖層包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氮化物、硅碳化物、硅氧碳化物、硅氧碳氮化物和多晶硅中的至少一種。

11.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一掩模堆疊結構包括順序地形成在所述擴散緩沖層上的含碳層和含硅有機抗反射層，以及

形成所述第一掩模圖案包括使用包含COS和SO₂中的至少一種的蝕刻氣體來蝕刻所述含碳層。

12.根據權利要求6所述的方法，其中

所述第一掩模堆疊結構包括順序地形成在所述擴散緩沖層上的含碳層和硬掩模層，以及

形成所述第一掩模圖案包括使用包含COS和SO₂中的至少一種的蝕刻氣體來蝕刻所述含碳層。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述擴散緩沖層包括與所述硬掩模層不同的材料。