[發(fā)明專利]形成半導(dǎo)體封裝的方法和半導(dǎo)體封裝

在審

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• 申請日: 2018-10-09
• 公開（公告）號: CN109637998A
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張超發(fā);鄭家鋒;J·奧克倫布爾格
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58;H01L23/64;H01Q1/22;H01L21/60
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 韓宏;陳松濤

1.一種形成半導(dǎo)體封裝的方法，所述方法包括：

提供半導(dǎo)體管芯和第一襯底，其中，所述半導(dǎo)體管芯包括管芯觸點，其中，所述第一襯底包括第一側(cè)，并且其中，所述第一側(cè)包括第一電觸點；

形成模制結(jié)構(gòu)以封裝所述半導(dǎo)體管芯和所述第一襯底；以及

在所述模制結(jié)構(gòu)中提供三維天線以電耦合到所述第一電觸點。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，所述模制結(jié)構(gòu)包括暴露所述第一電觸點的至少一部分的開口。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在形成所述模制結(jié)構(gòu)期間，至少部分地形成所述開口。

4.根據(jù)權(quán)利要求2至3中任一項所述的方法，其中，在形成所述模制結(jié)構(gòu)之后至少部分地形成所述開口。

5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項所述的方法，其中，在形成所述模制結(jié)構(gòu)之后執(zhí)行所述提供所述三維天線，以及

其中，在所述開口中形成所述三維天線。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，

其中，所述提供三維天線包括在所述模制結(jié)構(gòu)的所述開口的表面的至少一部分上形成螺旋或連續(xù)導(dǎo)電表面形式的跡線。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，

其中，在形成所述模制結(jié)構(gòu)之前執(zhí)行所述提供所述三維天線，

其中，所述三維天線和所述第一襯底在形成所述模制結(jié)構(gòu)之前布置在彼此上方。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的方法，其中，所述三維天線是預(yù)形成的三維天線。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的方法，

還包括在所述天線上提供電介質(zhì)材料，從而形成電介質(zhì)透鏡天線。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，提供所述電介質(zhì)透鏡天線還包括在所述透鏡的表面上形成至少一條金屬跡線。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述至少一條金屬跡線包括激光金屬化或激光結(jié)構(gòu)化，然后是無電鍍敷。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的方法，

其中，所述天線包括橫截面從靠近所述第一襯底的端部到遠(yuǎn)離所述第一襯底的端部增大的形狀。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述的方法，

其中，所述三維天線包括連續(xù)表面。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的方法，

其中，所述半導(dǎo)體管芯設(shè)置在第二襯底上，并且其中，所述第二襯底包括第一側(cè)和第二側(cè)，其中，所述第一側(cè)包括第二電觸點，并且其中，所述第二電觸點電耦合到所述管芯觸點。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，

其中，所述第一襯底和所述第二襯底是公共襯底的部分。

16.根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項所述的方法，

其中，所述三維天線選自以下中的至少一個：圓錐形喇叭天線、電介質(zhì)透鏡天線、包括透鏡上的金屬跡線的電介質(zhì)透鏡天線、螺旋天線。

17.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

第一襯底，所述第一襯底包括第一側(cè)和第二側(cè)，其中，所述第一側(cè)包括第一電觸點；

半導(dǎo)體管芯，所述半導(dǎo)體管芯包括管芯觸點；

模制結(jié)構(gòu)，其中，所述半導(dǎo)體管芯和所述第一襯底由所述模制結(jié)構(gòu)封裝；以及

設(shè)置在所述模制結(jié)構(gòu)中的三維天線，其中，所述三維天線電耦合到所述第一電觸點。