[發(fā)明專利]一種輻射散熱的可繞折金屬鋁基復合陶瓷基板及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811180370.2
• 申請日: 2018-10-10
• 公開（公告）號: CN109397786A
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發(fā)明（設計）人: 丁萍;彭文利;黃瓊
• 申請（專利權）人: 廣東昭信照明科技有限公司
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00;B32B9/04;B32B15/20;B32B7/08;B32B33/00;B32B37/10;C09D183/06;C09D7/61;C04B35/10
• 代理公司: 北京易捷勝知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11613
• 代理人: 齊勝杰

1.一種輻射散熱的可繞折金屬鋁基復合陶瓷基板，其特征在于：依次包括輻射散熱層、鋁基板、復合陶瓷絕緣保護層和導電層；

其中：

輻射散熱層的厚度為20-35μm，

鋁基板的厚度為200-800μm，

復合陶瓷絕緣保護層的厚度為70-120μm，

導電層的厚度為15-36μm，

所述輻射散熱層由輻射散熱涂料制成，所述輻射散熱涂料包括下述組分：

15-62重量份的鋁溶膠，

15-62重量份的硅溶膠，

4-23重量份的氧化物，

5-23重量份的防沉劑。

2.根據(jù)權利要求1所述的可繞折金屬鋁基復合陶瓷基板，其特征在于：

所述鋁溶膠為分散型納米氧化鋁，所述鋁溶膠中分散顆粒的粒徑為2-7μm，

所述硅溶膠為有機硅/環(huán)氧改性樹脂，

所述氧化物為Mn-Cr-Ti-Cu系多元氧化物，粒徑為12-27μm，

所述防沉劑為納米氧化鋁分散液。

3.根據(jù)權利要求1所述的可繞折金屬鋁基復合陶瓷基板，其特征在于：所述鋁基板為1、3、5、6或7系列的鋁或鋁合金；

所述導電層為銅箔，所述銅箔為電解銅箔或壓延銅箔。

4.根據(jù)權利要求1所述的可繞折金屬鋁基復合陶瓷基板，其特征在于：所述復合陶瓷絕緣保護層由復合陶瓷絕緣材料制成，所述復合陶瓷絕緣材料包括下述組分：

40-60重量份的改性硅氧烷預聚體，

25-35重量份的氧化鋁和氮化鋁復合粉體，

0-1重量份的分散劑，

0-1重量份的流平劑，

2-5重量份的偶聯(lián)劑，以及

5-33重量份的溶劑。

5.根據(jù)權利要求4所述的可繞折金屬鋁基復合陶瓷基板，其特征在于：

所述氧化鋁和氮化鋁復合粉體的粒徑為2-7μm，

所述分散劑為納米氧化鋁分散液，

所述偶聯(lián)劑為KH550和/或KH560，

所述溶劑為乙醇和/或丙二醇甲醚醋酸酯。

6.根據(jù)權利要求4所述的可繞折金屬鋁基復合陶瓷基板，其特征在于：所述氧化鋁和氮化鋁復合粉體中，氧化鋁與氮化鋁的質量比為1.5～2.5：1。

7.一種輻射散熱的可繞折金屬鋁基復合陶瓷基板的制備方法，其特征在于：包括下述步驟：

S1：復合陶瓷絕緣材料的制備，將溶劑、氧化鋁和氮化鋁復合粉體、分散劑及偶聯(lián)劑混合，球磨，得漿料；將所得漿料與改性硅氧烷預聚體混合后，加入所述流平劑混合，即得復合陶瓷絕緣材料a；

S2：輻射散熱涂料的制備，將分散型納米氧化鋁鋁溶膠、納米氧化物、防沉劑、填料和顏料放入分散機，分散研磨得到原料b；然后將有機硅/環(huán)氧改性樹脂與原料b混合，并采用納米級臥式砂磨機砂磨，過濾后得到輻射散熱涂料c；

S3：導電金屬銅箔層-復合陶瓷絕緣保護層的制備，將復合陶瓷絕緣材料a和導電金屬銅箔用流延設備流延處理，得到復合陶瓷-導電銅箔材料d；

S4：鋁基板-輻射散熱層的制備，將輻射散熱涂料c噴涂在鋁或鋁合金表面，經(jīng)烘干制備出鋁基板-輻射散熱層e；

S5：用熱輥壓機將復合陶瓷-導電銅箔材料d和鋁基板-輻射散熱層e進行壓覆組合，得到金屬鋁基復合陶瓷基板f，將金屬鋁基復合陶瓷基板f經(jīng)真空熱壓工藝壓制，得到可繞折金屬鋁基復合陶瓷基板。

8.根據(jù)權利要求7所述的可繞折金屬鋁基復合陶瓷基板的制備方法，其特征在于：

步驟S2中，原料b組分的粒度小于10μm；

步驟S3中，流延處理溫度為160-180℃，復合陶瓷-導電銅箔材料d的厚度為80-150μm。

9.根據(jù)權利要求7所述的可繞折金屬鋁基復合陶瓷基板的制備方法，其特征在于：步驟S4中，烘干溫度為180-200℃。

10.根據(jù)權利要求7所述的可繞折金屬鋁基復合陶瓷基板的制備方法，其特征在于：步驟S5中，壓覆組合的溫度大于90℃，且在真空度為-0.2～-0.8MPA的環(huán)境下熱壓覆。