[發明專利]一種IGBT封裝模塊及其連接橋

有效

• 申請號: 201811175368.6
• 申請日: 2018-10-10
• 公開（公告）號: CN108831865B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 許海東;諶容
• 申請（專利權）人: 常州江蘇大學工程技術研究院;南京晟芯半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/492;H01L25/07
• 代理公司: 常州市權航專利代理有限公司 32280
• 代理人: 印蘇華

本發明涉及一種IGBT封裝模塊及其連接橋，包括：散熱金屬制成的呈橋狀的連接片，所述連接片的兩端分別具有一個第一連接部和第二連接部，其中所述第一連接部適于與電極焊接固定，以使錫點從所述連接片的上端面穿過所述連接片至所述連接片的下端面；所述第二連接部適于與電極焊接固定，以使錫點從所述連接片的上端面穿過所述連接片至所述連接片的下端面。本發明的連接橋，通過第一連接部和第二連接部，加強連接片與散熱板的焊接牢固度，使每個錫點從連接片底部至貫穿連接片再至其上端面，將連接片牢牢焊接在其表面，并且通過采用散熱金屬，加強連接片自身的散熱能力。

技術領域

本發明涉及一種芯片封裝模塊，具體涉及一種IGBT封裝模塊及其連接橋。

背景技術

傳統工藝的IGBT封裝模塊，其基本結構為芯片焊接在散熱板上，散熱板焊接在底板上，通過散熱板的排布區分出IGBT芯片的柵極(Gate)、集電極(Collector)和發射極(Emitter)，其中集電極通過錫膏和散熱板直接焊接，柵極和發射極均通過鋁線或鋁帶與散熱板相連接，這種封裝結構工藝有如下缺點和難點。

第一，鋁線的導熱能力有限，芯片產生熱量時，并不能及時的通過鋁線傳遞到散熱板、底板與散熱器上，造成芯片溫度過高，繼而造成模塊失效。

第二，鋁線的電導率較小，且與芯片的接觸面積有限，造成接觸電阻較小，造成相關電性能低下。

第三，鋁線鍵合工藝是IGBT模塊制造的最重要的環節，也是最難最復雜的環節，對鍵合設備及工藝技術要求均非常高，從一定程度上增加了工藝難度和產品成本。

發明內容

本發明要解決的問題是提供一種便于安裝，便于散熱的連接橋；

為了提供此種連接橋，本發明提供了一種連接橋，包括：

散熱金屬制成的呈橋狀的連接片，所述連接片的兩端分別具有一個第一連接部和第二連接部，其中

所述第一連接部適于與電極焊接固定，以使錫點從所述連接片的上端面穿過所述連接片至所述連接片的下端面；

所述第二連接部適于與電極焊接固定，以使錫點從所述連接片的上端面穿過所述連接片至所述連接片的下端面；

所述第一連接部與所述第二連接部的底面之間具有與芯片厚度適配的高度差；

所述第一連接部為貫穿所述連接片的通孔；

所述第二連接部為開設在所述連接片的端部的U型開口；以及

所述U型開口方向為所述連接片的端部方向。

作為優選，所述連接片的材料為銅。

本發明進一步地提供了一種IGBT封裝模塊，包括：封裝殼體，固定在所述封裝殼體內的散熱板，背部焊接在所述散熱板上的芯片結構，與所述芯片結構電性連接的信號端子，焊接在所述散熱板上并伸出所述封裝殼體的上端面的端子，以及

所述信號端子的上端伸出所述封裝殼體的上端面；

所述芯片結構通過如上所述的連接橋與所述散熱板電性連接。

作為優選，所述芯片結構包括IGBT模塊和FWD模塊；以及

所述IGBT模塊的背部與所述散熱板的集電極電性連接；所述IGBT模塊通過所述連接橋與所述散熱板的發射極電性連接；

所述FWD模塊的背部與所述散熱板的集電極電性連接；所述FWD模塊通過所述連接橋與所述散熱板的發射極電性連接；

所述信號端子與所述IGBT模塊的柵極電性連接。

作為優選，所述散熱板為陶瓷散熱基板。

作為優選，所述連接橋的個數為多個。