[發明專利]一種IGBT封裝模塊及其連接橋有效
| 申請號： | 201811175368.6 | 申請日： | 2018-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN108831865B | 公開（公告）日： | 2019-02-05 |
| 發明（設計）人： | 許海東;諶容 | 申請（專利權）人： | 常州江蘇大學工程技術研究院;南京晟芯半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/367 | 分類號： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/492;H01L25/07 |
| 代理公司： | 常州市權航專利代理有限公司 32280 | 代理人： | 印蘇華 |
| 地址： | 213000 江蘇省常州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 連接片 第二連接部 第一連接部 上端面 錫點 加強連接片 電極焊接 散熱金屬 連接橋 下端面 焊接 穿過 散熱能力 牢固度 散熱板 橋狀 貫穿 | ||
1.一種IGBT封裝模塊，其特征在于，包括：封裝殼體，固定在所述封裝殼體內的散熱板，背部焊接在所述散熱板上的芯片結構，與所述芯片結構電性連接的信號端子，焊接在所述散熱板上并伸出所述封裝殼體的上端面的端子，以及
所述信號端子的上端伸出所述封裝殼體的上端面；
所述芯片結構通過連接橋與所述散熱板電性連接；
散熱金屬制成的呈橋狀的連接片，所述連接片的兩端分別具有一個第一連接部和第二連接部，其中
所述第一連接部適于與電極焊接固定，以使錫點從所述連接片的上端面穿過所述連接片至所述連接片的下端面；
所述第二連接部適于與電極焊接固定，以使錫點從所述連接片的上端面穿過所述連接片至所述連接片的下端面；
所述第一連接部與所述第二連接部的底面之間具有與芯片厚度適配的高度差；
所述第一連接部為貫穿所述連接片的通孔；
所述第二連接部為開設在所述連接片的端部的U型開口；以及
所述U型開口方向為所述連接片的端部方向；
所述連接片的材料為銅；
所述連接橋的個數為三個，并且三個所述連接橋與所述芯片結構的表面的焊接位分別位于所述芯片表面上的左下方，上方和右下方。
2.如權利要求1所述的IGBT封裝模塊，其特征在于，所述芯片結構包括IGBT模塊和FWD模塊；以及
所述IGBT模塊的背部與所述散熱板的集電極電性連接；所述IGBT模塊通過所述連接橋與所述散熱板的發射極電性連接；
所述FWD模塊的背部與所述散熱板的集電極電性連接；所述FWD模塊通過所述連接橋與所述散熱板的發射極電性連接；
所述信號端子與所述IGBT模塊的柵極電性連接。
3.如權利要求2所述的IGBT封裝模塊，其特征在于，所述散熱板為陶瓷散熱基板。
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