[發明專利]具有高回波損耗的TO-殼體

有效

• 申請號: 201811171987.8
• 申請日: 2018-10-09
• 公開（公告）號: CN109638633B
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: A·奧尤都馬薩克;K·德勒格米勒;R·瓊沃思;M·Y·方
• 申請（專利權）人: 肖特股份有限公司
• 主分類號: H01S5/02315
• 分類號: H01S5/02315;H01S5/042
• 代理公司: 北京思益華倫專利代理事務所(普通合伙) 11418
• 代理人: 彭臻臻;趙飛

1.一種TO-殼體，包括用于光電元件的支座，其中所述支座具有至少一個電穿通件，所述電穿通件被設計成嵌入灌注混合物中的連接銷的形式，其特征在于，所述支座包括在其底側上的凹槽，在所述凹槽中，所述連接銷中的至少一個在所述電穿通件中的一個中從所述支座的底側中延伸出。

2.根據權利要求1所述的TO-殼體，其中，所述灌注混合物是玻璃。

3.根據權利要求1所述的TO-殼體，其特征在于，兩個連接銷在一個凹槽中從所述底側中延伸出。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的TO-殼體，其特征在于，所述凹槽形成空腔或被用一種具有比所述灌注混合物更小的介電常數的材料填充。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的TO-殼體，其特征在于，所述凹槽在橫截面上是圓形地或以長孔的形式構造。

6.根據權利要求1-3中任一項所述的TO-殼體，其特征在于，所述凹槽具有：

1-5mm的長度l_c，0.3-3mm的寬度d_c或0.3-3mm的直徑，

和/或0.1-1.5mm的深度，

和/或所述電穿通件具有0.7-1.4mm的寬度或直徑d_g和/或1.45-2.35mm的長度l_g，

和/或兩個布置在電穿通件中的連接銷具有在0.5mm和0.95mm之間的距離p，

和/或在電穿通件中的至少一個連接銷的直徑為0.2mm至0.5mm，

和/或所述凹槽具有所述電穿通件的1.2-5倍的寬度/直徑。

7.根據權利要求1-3中任一項所述的TO-殼體，其特征在于，所述凹槽具有：

1.2-2.75mm的長度l_c，0.7-1.8mm的寬度d_c或0.7-1.8mm的直徑，

和/或0.4-0.8mm的深度，

和/或所述凹槽具有所述電穿通件的1.5-2倍的寬度/直徑。

8.根據權利要求1-3中任一項所述的TO-殼體，其特征在于，所述凹槽占所述支座在至少與所述凹槽相鄰的區域中的高度的20％-50％。

9.根據權利要求8所述的TO-殼體，其中，所述凹槽占所述支座在至少與所述凹槽相鄰的區域中的高度的35％-45％。

10.根據權利要求1-3中任一項所述的TO-殼體，其特征在于，布置在所述凹槽中的導體電路部分的阻抗是布置在電穿通件中的導體電路部分的阻抗的1.2至4倍。

11.根據權利要求10所述的TO-殼體，其中，布置在所述凹槽中的導體電路部分的阻抗是布置在電穿通件中的導體電路部分的阻抗的1.6至2.7倍。

12.根據權利要求1-3中任一項所述的TO-殼體，其特征在于，所述TO-殼體裝配有光電元件并被連接到導體電路上，其中在所述導體電路上的一個連接點和在所述光電元件上的一個連接點之間延伸的信號路徑的阻抗為在10Ω和150Ω之間。

13.根據權利要求12所述的TO-殼體，其中，在所述導體電路上的一個連接點和在所述光電元件上的一個連接點之間延伸的信號路徑的阻抗為在40Ω和60Ω之間。

14.根據權利要求12所述的TO-殼體，其中，在所述導體電路上的一個連接點和在所述光電元件上的一個連接點之間延伸的信號路徑的阻抗為在20Ω和30Ω之間。

15.根據權利要求12所述的TO-殼體，其中，在所述導體電路上的一個連接點和在所述光電元件上的一個連接點之間延伸的信號路徑的阻抗為在90Ω和110Ω之間。