[發明專利]數據存取方法、存儲器儲存裝置與存儲器控制電路單元

有效

• 申請號: 201811171037.5
• 申請日: 2018-10-09
• 公開（公告）號: CN111028877B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 葉志剛
• 申請（專利權）人: 群聯電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/22;G11C16/26;G11C7/04
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;臧建明

本發明提出一種數據存取方法、存儲器儲存裝置與存儲器控制電路單元。存儲器儲存裝置具有可復寫式非易失性存儲器模塊以及用以控制可復寫式非易失性存儲器模塊的存儲器控制電路單元。其中此數據存取方法包括：接收存取指令；檢測存儲器儲存裝置的溫度；判斷存儲器儲存裝置的溫度是否低于第一門檻值；倘若存儲器儲存裝置的溫度低于第一門檻值時，執行虛擬存取指令或調整工作電壓。此數據存取方法還包括在執行虛擬存取指令或調整工作電壓之后，執行存取指令。

技術領域

本發明涉及一種數據存取方法、存儲器儲存裝置與存儲器控制電路單元。

背景技術

數字相機、移動電話與MP3播放器在這幾年來的成長十分迅速，使得消費者對儲存媒體的需求也急速增加。由于可復寫式非易失性存儲器模塊(rewritablenon-volatilememory module)，例如，快閃存儲器，具有數據非易失性、省電、體積小，以及無機械結構等特性，所以非常適合內建于上述所舉例的各種可攜式多媒體裝置中。

一般情況下，可復寫式非易失性存儲器模塊可在-40℃至85℃的溫度下正常工作，而在溫度過高或溫度過低(高于85℃或低于-40℃)時皆容易出現寫入失敗或讀取失敗的狀況，尤其是對于質量較差的可復寫式非易失性存儲器模塊，在溫度過低時更容易出現寫入失敗或讀取失敗的狀況。

傳統的方式中只有對溫度過高的可復寫式非易失性存儲器模塊執行溫控調頻(thermal thottle)，在其整體溫度過高的情況下，適當調整可復寫式非易失性存儲器模塊的讀寫頻率，以降低可復寫式非易失性存儲器模塊的溫度，防止可復寫式非易失性存儲器模塊因堆積的熱量而造成數據流失，甚至老化的狀況發生。在可復寫式非易失性存儲器模塊的溫度過低的情況下，現階段沒有一種可有效提升可復寫式非易失性存儲器模塊的溫度的方式，無法對低溫下的可復寫式非易失性存儲器模塊執行正常的寫入或讀取數據的操作。

有鑒于此，需要提供一種有效提升可復寫式非易失性存儲器模塊的溫度的機制，以對可復寫式非易失性存儲器模塊執行正常的存取操作。

發明內容

本發明提供一種數據存取方法、存儲器儲存裝置與存儲器控制電路單元。

本發明的一范例實施例提出一種數據存取方法，用于存儲器儲存裝置。此存儲器儲存裝置具有可復寫式非易失性存儲器模塊以及用以控制可復寫式非易失性存儲器模塊的存儲器控制電路單元。其中數據存取方法包括：接收存取指令；檢測存儲器儲存裝置的溫度；判斷存儲器儲存裝置的溫度是否低于第一門檻值；倘若存儲器儲存裝置的溫度低于第一門檻值時，執行虛擬存取指令或調整工作電壓。此數據存取方法還包括在執行虛擬存取指令或調整工作電壓之后，執行存取指令。

在本發明的一范例實施例中，上述執行該虛擬存取指令的步驟還包括：倘若存儲器儲存裝置的溫度低于第一門檻值時，重復執行虛擬存取指令直至存儲器儲存裝置的溫度升高至第二門檻值，其中第二門檻值不同于第一門檻值。

在本發明的一范例實施例中，上述執行調整該工作電壓的步驟包括：將存儲器控制電路單元的工作頻率從預設工作頻率調高至第一工作頻率；以及當存儲器儲存裝置的溫度升高至安全溫度后，將存儲器控制電路單元的工作頻率恢復至預設工作頻率。

在本發明的一范例實施例中，上述執行虛擬存取指令的步驟包括：對可復寫式非易失性存儲器模塊執行虛擬讀取，以從可復寫式非易失性存儲器模塊讀取數據。

在本發明的一范例實施例中，上述執行虛擬存取指令的步驟包括：反復執行虛擬讀取數次。

在本發明的一范例實施例中，上述執行虛擬存取指令的步驟包括：對可復寫式非易失性存儲器模塊執行虛擬寫入，以將虛擬數據程序化至可復寫式非易失性存儲器模塊。

在本發明的一范例實施例中，上述執行虛擬存取指令的步驟包括：反復執行虛擬寫入數次。