[發明專利]數據存取方法、存儲器儲存裝置與存儲器控制電路單元

有效

• 申請號: 201811171037.5
• 申請日: 2018-10-09
• 公開（公告）號: CN111028877B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 葉志剛
• 申請（專利權）人: 群聯電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/22;G11C16/26;G11C7/04
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;臧建明

1.一種數據存取方法，用于存儲器儲存裝置，其中所述存儲器儲存裝置具有可復寫式非易失性存儲器模塊以及用以控制所述可復寫式非易失性存儲器模塊的存儲器控制電路單元，所述數據存取方法包括：

接收存取指令；

檢測所述存儲器儲存裝置的溫度；

判斷所述存儲器儲存裝置的溫度是否低于第一門檻值；

倘若所述存儲器儲存裝置的溫度低于所述第一門檻值時，執行虛擬存取指令或調整工作電壓，其中所述虛擬存取指令包括虛擬讀取指令，所述虛擬讀取指令用以對所述可復寫式非易失性存儲器模塊執行虛擬讀取，以從所述可復寫式非易失性存儲器模塊讀取數據；以及

在執行所述虛擬存取指令或調整所述工作電壓之后，執行所述存取指令。

2.根據權利要求1所述的數據存取方法，其中執行所述虛擬存取指令的步驟還包括：

倘若所述存儲器儲存裝置的溫度低于所述第一門檻值時，重復執行所述虛擬存取指令直至所述存儲器儲存裝置的溫度升高至第二門檻值，其中所述第二門檻值不同于所述第一門檻值。

3.根據權利要求1所述的數據存取方法，其中所述執行調整所述工作電壓的步驟包括：

將所述存儲器控制電路單元的工作頻率從預設工作頻率調高至第一工作頻率；以及

當所述存儲器儲存裝置的溫度升高至安全溫度后，將所述存儲器控制電路單元的工作頻率恢復至所述預設工作頻率。

4.根據權利要求1所述的數據存取方法，其中執行所述虛擬存取指令的步驟包括：

反復執行所述虛擬讀取數次。

5.根據權利要求1所述的數據存取方法，其中執行所述虛擬存取指令的步驟包括：

對所述可復寫式非易失性存儲器模塊執行虛擬寫入，以將虛擬數據程序化至所述可復寫式非易失性存儲器模塊。

6.根據權利要求5所述的數據存取方法，其中執行所述虛擬存取指令的步驟包括：

反復執行所述虛擬寫入數次。

7.根據權利要求1所述的數據存取方法，其中所述虛擬存取指令用以對所述可復寫式非易失性存儲器模塊執行非主機指示的讀取或程序化操作。

8.根據權利要求1所述的數據存取方法，其中所述虛擬存取指令用以將數據程序化至所述可復寫式非易失性存儲器模塊的壞實體區塊或預定區域中。

9.一種存儲器控制電路單元，用于存儲器儲存裝置，其中所述存儲器儲存裝置具有可復寫式非易失性存儲器模塊，所述存儲器控制電路單元包括：

主機接口，用以耦接至主機系統；

存儲器接口，用以耦接至所述可復寫式非易失性存儲器模塊；

存儲器管理電路，耦接至所述主機接口以及所述存儲器接口，

其中所述存儲器管理電路用以接收存取指令，

其中所述存儲器管理電路用以檢測所述存儲器儲存裝置的溫度，

其中所述存儲器管理電路用以判斷所述存儲器儲存裝置的溫度是否低于第一門檻值，倘若所述存儲器儲存裝置的溫度低于所述第一門檻值時，所述存儲器管理電路用以執行虛擬存取指令或調整工作電壓，其中所述虛擬存取指令包括虛擬讀取指令，所述虛擬讀取指令用以對所述可復寫式非易失性存儲器模塊執行虛擬讀取，以從所述可復寫式非易失性存儲器模塊讀取數據，以及

在執行所述虛擬存取指令或調整所述工作電壓之后，所述存儲器管理電路用以執行所述存取指令。

10.根據權利要求9所述的存儲器控制電路單元，其中倘若所述存儲器儲存裝置的溫度低于所述第一門檻值時，所述存儲器管理電路還用以重復執行所述虛擬存取指令直至所述存儲器儲存裝置的溫度升高至第二門檻值，其中所述第二門檻值不同于所述第一門檻值。