[發(fā)明專利]一種用CuAlO2 有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811170363.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109378362B | 公開(公告)日: | 2020-04-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姚斌;宋燕平;李永峰;劉瑞健;丁戰(zhàn)輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 吉林大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18;H01L21/02;H01L31/032 |
| 代理公司: | 長(zhǎng)春市恒譽(yù)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 22212 | 代理人: | 李榮武 |
| 地址: | 130012 吉*** | 國(guó)省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 cualo base sub | ||
本發(fā)明涉及一種用CuAlO2過(guò)渡層提高銅鋅錫硫硒太陽(yáng)電池效率的方法,屬于光電子半導(dǎo)體和太陽(yáng)電池領(lǐng)域。本發(fā)明的目的在于通過(guò)在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)(SLG/Mo/CZTSSe/CdS/i?ZnO/ITO/Al)的CZTSSe太陽(yáng)電池背電極Mo和CZTSSe吸收層之間增加一層CuAlO2(CAO)非晶薄膜,阻礙硒化時(shí)Se蒸氣和CZTSSe中的Se與Mo的反應(yīng),減小Mo(S,Se)2層的厚度,抑制二次相的生成,提高CZTSSe的晶體質(zhì)量,從而提高光電轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明利用磁控濺射制備CAO薄膜,溶液法制備CZTSSe薄膜。當(dāng)CAO層厚度為10.6nm時(shí),可使太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率提高24%。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用CuAlO2非晶薄膜修飾背電極界面提高銅鋅錫硫硒太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率的方法, 屬于光電子半導(dǎo)體和太陽(yáng)電池領(lǐng)域。
背景技術(shù)
具有kesterite結(jié)構(gòu)的銅鋅硒硫硒(Copper Zinc Tin Sulfide Selenide,CZTSSe)是一種直接帶隙的半導(dǎo)體材料,由于其帶隙在1.0-1.5eV連續(xù)可調(diào),吸收系數(shù)高(α104cm-1),組成元素地球儲(chǔ)藏豐富,制備成本低和對(duì)環(huán)境友好等特點(diǎn),被認(rèn)為是替代CuInGaSe2(CIGS)制備薄膜太陽(yáng)電池的理想吸收層材料,近年來(lái)受到了人們廣泛深入的研究[1-3]。截至目前,以CZTSSe為吸收層、結(jié)構(gòu)為SLG/Mo/CZTSSe/CdS/i-ZnO/indium tinoxide(ITO)/Al grid 薄膜太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率(Power Conversion Efficiency,PCE)最高已達(dá)12.6%[4]。但這一PCE遠(yuǎn)低于其理論預(yù)期的31%[5]和CIGS電池的22%[6]。許多實(shí)驗(yàn)和理論研究表明導(dǎo)致CZTSSe太陽(yáng)電池PCE低的主要原因之一是在硒化過(guò)程中背電極界面易發(fā)生如下反應(yīng):
導(dǎo)致在CZTSSe/Mo背電極界面形成Mo(S,Se)2(MSSe)層及Cu2(S,Se),Zn(S,Se)和Sn(S,Se)二次相。其中,MSSe具有雙重作用,[7,8]一方面,它的功函數(shù)高,與CZTSSe可形成準(zhǔn)歐姆接觸,當(dāng)其厚度較薄時(shí),可增強(qiáng)CZTSSe 與背電極間的緊密接觸,這些優(yōu)點(diǎn)有利于光生載流子的傳輸和收集,提高電池PCE;另一方面,如果MSSe 層的厚度過(guò)大,將使太陽(yáng)電池串聯(lián)電阻(RS)顯著增加,CZTSSe與Mo不能緊密接觸,造成電池PCE下降。二次相的生成從兩個(gè)方面影響太陽(yáng)電池的PCE。一是會(huì)在背電極界面形成旁路電流,降低光生載流子的收集效率,表現(xiàn)為并聯(lián)電阻(RSh)減小,二是Sn(S,Se)、Zn(S,Se)易揮發(fā),極易從背界面逃離,導(dǎo)致界面孔洞的形成,界面復(fù)合率增加,表現(xiàn)為反向飽和電流密度(J0)增加。這兩方面的作用將導(dǎo)致太陽(yáng)電池短路電流密度(JSC),開路電壓(VOC)和填充因子(FF)減小,降低PCE。因此,尋找抑制二次相的形成、減小MSSe層厚度的方法和技術(shù)成為提高CZTSSe太陽(yáng)電池PCE的關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題之一。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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