[發(fā)明專利]一種用CuAlO2 有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811170363.4 | 申請(qǐng)日： | 2018-10-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109378362B | 公開（公告）日： | 2020-04-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 姚斌;宋燕平;李永峰;劉瑞健;丁戰(zhàn)輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 吉林大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L31/18 | 分類號(hào)： | H01L31/18;H01L21/02;H01L31/032 |
| 代理公司： | 長春市恒譽(yù)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 22212 | 代理人： | 李榮武 |
| 地址： | 130012 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 cualo base sub | ||
1.一種用CuAlO2過渡層提高銅鋅錫硫硒太陽電池效率的方法，其特征在于在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)SLG/Mo/CZTSSe/CdS/i-ZnO/ITO/Al，SLG、CZTSSe、i-ZnO和ITO分別表示鈉鈣玻璃(sodalime glass)、Cu2ZnSn(S,Se)4、本征ZnO和錫摻氧化銦(indium tin oxide)的CZTSSe太陽電池背電極界面引入一層厚度7-18nm的非晶CuAlO2過渡層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用CuAlO2過渡層提高銅鋅錫硫硒太陽電池效率的方法，其特征在于CuAlO2層是利用磁控濺射制備的，該過渡層厚度通過調(diào)節(jié)濺射參數(shù)來調(diào)控，其中，體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純Ar作為濺射氣體，在工作壓強(qiáng)為0.6-1.2Pa，濺射功率為40-80W，襯底溫度為室溫的條件下濺射沉積的CuAlO2非晶薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用CuAlO2過渡層提高銅鋅錫硫硒太陽電池效率的方法，其特征在于CuAlO2的增加阻礙硒化時(shí)Se蒸氣以及CZTSSe中的Se與Mo的反應(yīng)，減小Mo(S,Se)2層的厚度，抑制二次相的生成，當(dāng)CuAlO2層厚度為10.6nm時(shí)，提升CZTSSe的晶體質(zhì)量。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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