[發明專利]一種圖形密度的分析方法

有效

• 申請號: 201811154697.2
• 申請日: 2018-09-30
• 公開（公告）號: CN109359363B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發明（設計）人: 程瑋;朱忠華;魏芳
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392;G06F119/18
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 徐偉

本發明提供了一種圖形密度的分析方法，用以分析版圖的局部圖形密度，包括：獲取位于待分析版圖區域上每一個版圖圖形的圖形屬性；對每一個版圖圖形，基于對應的圖形屬性設定該版圖圖形的相關窗口；計算每一個相關窗口的圖形密度；以及選取相關窗口的圖形密度中的最大值為上述版圖的最大局部圖形密度，選取相關窗口的圖形密度中的最小值為上述版圖的最小局部圖形密度。根據本發明所提供的分析方法，能夠基于版圖圖形的屬性構建檢查窗口，使得更準確、有效地獲取版圖圖形上具有最大密度和最小密度的窗口區域，避免了誤差與疏漏。

技術領域

本發明涉及可制造性圖形設計領域(DFM，Design?For?Manufacture)，尤其涉及集成電路版圖設計領域。

背景技術

集成電路版圖設計是可制造性圖形設計的一個重要組成部分，隨著集成電路技術的發展，集成電路版圖圖形的復雜度不斷提高，圖形密度分析已成為很多關鍵層次掩模版數據分析的重要步驟。

在半導體制造過程中，圖形密度分布均勻與否對蝕刻工藝及化學機械研磨工藝的影響很大，在圖形密度分布不均的情況下，不僅容易加重蝕刻中的負載效應，導致部分圖形的最終尺寸與目標尺寸偏離，更容易使圖形在化學機械研磨工藝中發生過磨。因此，準確地計算版圖的局部密度，找到高風險工藝區域，有利于各模塊工程師及時了解產品高風險工藝熱點具體位置及圖形特性，及早的制定出相應的應對措施，順利達成產品的流片及量產。

傳統的圖形密度分析是以固定的步進移動來設置檢查窗口，在版圖中進行計算，這樣會漏掉部分圖形的特征，造成密度分析的缺失和偏差。請參考圖1、圖2A、圖2B、圖3、圖4A、圖4B來理解傳統的圖形密度分析方法，以及其所存在的問題。

圖1、圖3示出了待分析的數據版圖，圖中的陰影部分即為版圖圖形，版圖的局部圖形密度指的是在待分析的數據版圖中根據設計規格確定的預設大小為W*W的區域圖形密度，因此，需要在待分析的數據版圖中構建該大小為W*W的檢查窗口，計算檢查窗口中陰影圖形面積與檢查窗口面積的比例為局部圖形密度。

對于圖1所示的待分析的數據版圖，根據現有的傳統圖形密度分析方法，W*W的檢查窗口是以固定步進遍歷數據版圖的方式構建的。以下舉例說明傳統方法的實現步驟：請結合圖2A和圖2B，以版圖的左下頂點為起始點為例，向右、向上構建W*W的檢查窗口(如圖2A中的粗線條框)并計算該檢查窗口中的圖形密度。隨后以1/2W的步進向右移動，構建W*W的檢查窗口并計算該檢查窗口中的圖形密度，如圖2B中的粗線條框，其中，虛線表示了1/2W的步進。以此類推，依次將上述檢查窗口以固定步進移動直至版圖的兩側邊緣并計算每次檢查窗口內的圖形密度，以獲取版圖的局部圖形密度。雖然在如圖1所示出的數據版圖的中間部分存在局部圖形密度為0％的區域，但從圖2A、圖2B所示出的虛線可以知道，依據上述傳統的圖形密度分析方法無法構建該0％區域的檢查窗口，因此，現有的傳統圖形密度分析方法在分析圖形密度極小值時存在誤差和疏漏。

對于圖3所示的待分析的數據版圖，根據現有的傳統圖形密度分析方法，W*W的檢查窗口是以固定步進遍歷數據版圖的方式構建的。以下舉例說明傳統方法的實現步驟：請結合圖4A和圖4B，以版圖的左上頂點為起始點為例，向右、向下構建W*W的檢查窗口(如圖4A中的粗線條框)并計算該檢查窗口中的圖形密度。隨后以1/2W的步進向右移動，構建W*W的檢查窗口并計算該檢查窗口中的圖形密度，如圖4B中的粗線條框，其中，虛線表示了1/2W的步進。以此類推，依次將上述檢查窗口以固定步進移動直至版圖的兩側邊緣并計算每次檢查窗口內的圖形密度，以獲取版圖的局部圖形密度。雖然在如圖3所示出的數據版圖的中間陰影部分存在局部圖形密度為100％的區域，但從圖4A、圖4B所示出的虛線可以知道，依據上述傳統的圖形密度分析方法無法構建該100％區域的檢查窗口，因此，現有的傳統圖形密度分析方法在分析圖形密度極大值時存在誤差和疏漏。

由此可知，現有技術中的傳統圖形密度分析方法存在漏掉部分圖形的特征的缺陷，造成密度分析的缺失和偏差。因此，亟需要一種新的圖形密度的分析方法，能夠有效克服上述問題，精準地計算版圖的局部圖形密度，獲取極值密度，有利于版圖設計的監控。