[發明專利]一種掩膜版的量測補值方法、掩膜版及掩膜版的制備方法

在審

• 申請號: 201811154512.8
• 申請日: 2018-09-30
• 公開（公告）號: CN109212897A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 張海杰;楊祖有
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G03F1/84
• 分類號: G03F1/84
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本申請公開了一種掩膜版的量測補值方法、掩膜版以及掩膜版的制備方法，包括：提供一掩膜版，所述掩膜版包括顯示區以及預留區，所述預留區設置有長度尺，所述掩膜版的顯示區上設置有多個第一圖形，根據預設距離值確定所述掩膜版上所述多個第一圖形的位置；對所述多個第一圖形進行圖案化處理，在玻璃基板上得到與所述多個第一圖形對應的多個第二圖形，并獲取所述多個第二圖形中相鄰第二圖形間的實際距離值；根據所述預設距離值與所述第二圖形間的實際距離值得到補償值；根據所述補償值對所述第二圖形進行補值處理，以使在產品加工時可以通過該長度尺進行測量并進行相應的補值處理從而保證量測準確性，提高生產效率以及減少實際產品送樣分析對比。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種掩膜版的量測補值方法、掩膜版及掩膜版的制備方法。

背景技術

近年來，隨著芯片的集成度不斷提高，其尺寸不斷縮小到微米級甚至于納米級，生產工藝也越來越復雜，為了達到良好的器件性能，各個光刻圖形不但要保證層與層之間的精確套刻(對準)，還要有精準的特征尺寸線寬，

現有技術中，低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)量測線寬機針對產品進行量測的手段較為繁瑣，生產加工效率低下。

因此，現有技術存在缺陷，急需改進。

發明內容

本申請實施例提供一種掩膜版的量測補值方法、掩膜版及掩膜版的制備方法，可以在產品加工過程中量測補值，保證量測準確性并提高了制作工藝的效率。

本申請實施例提供一種掩膜版的量測補值方法，包括：

提供一掩膜版，所述掩膜版包括顯示區以及預留區，所述預留區設置有長度尺，所述掩膜版的顯示區上設置有多個第一圖形，根據預設距離值確定所述掩膜版上所述多個第一圖形的位置；

對所述多個第一圖形進行圖案化處理，在玻璃基板上得到與所述多個第一圖形對應的多個第二圖形，并獲取所述多個第二圖形中相鄰第二圖形間的實際距離值；

根據所述預設距離值與所述第二圖形間的實際距離值得到補償值；

根據所述補償值對所述第二圖形進行補值處理。

在本申請所述的掩膜版的量測補值方法中，所述長度尺用于確定所述多個第一圖形位置以及測量所述相鄰第二圖形間的實際距離值。

在本申請所述的掩膜版的量測補值方法中，所述根據預設距離值確定所述掩膜版上的多個第一圖形的位置，包括：

根據所述長度尺的刻度線與所述預設距離值確定所述掩膜版上所述多個第一圖形中相鄰第一圖形間的距離值為預設距離值。

在本申請所述的掩膜版的量測補值方法中，所述對所述多個第一圖形進行圖案化處理，在玻璃基板上得到與所述多個第一圖形對應的多個第二圖形，并獲取所述多個第二圖形中相鄰第二圖形間的實際距離值包括：

對所述多個第一圖形進行圖案化處理，使得所述玻璃基板上的所述多個第二圖形在水平方向上的長度減小或增大，以得到與所述多個第一圖形對應的多個第二圖形；

根據所述長度尺的刻度線確定所述多個第二圖形中相鄰第二圖形間的實際距離值。

在本申請所述的掩膜版的量測補值方法中，所述根據所述預設距離值與所述實際距離值得到補償值，包括：

根據所述預設距離值與所述實際距離值的差值，得到所述補償值。

在本申請所述的掩膜版的量測補值方法中，所述預設距離值為所述多個第一圖形中相鄰第一圖形末端間的距離，和/或所述多個第一圖形中相鄰第一圖形首端間的距離。