[發明專利]壓接器件的封裝結構及電流測試方法

有效

• 申請號: 201811153245.2
• 申請日: 2018-09-29
• 公開（公告）號: CN109473422B
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 李金元;吳鵬飛;李堯圣;王鵬;崔梅婷
• 申請（專利權）人: 全球能源互聯網研究院有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;G01R19/00
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 吳黎

本發明涉及壓接器件技術領域，具體公開了一種壓接器件的封裝結構和電流測試方法，封裝結構包括設置于電路板上的若干壓接芯片，所述電路板的外圍設置有若干錯位過孔，導電線沿錯位方向依次繞制于各所述錯位過孔形成羅氏線圈。一方面，可以通過羅氏線圈對電路板上的壓接芯片進行電流檢測；另一方面，羅氏線圈相當于直接設置于電路板內部，減小了羅氏線圈所占用的空間，無需擴大整個壓接器件的封裝結構的尺寸，仍然能夠保證壓接器件整體的高功率密度。另外，由于羅氏線圈是直接設置于電路板內部的，因此無需對羅氏線圈進行裝配，使用非常方便。

技術領域

本發明涉及壓接器件技術領域，具體涉及一種壓接器件的封裝結構及電流測試方法。

背景技術

目前電力系統用大功率IGBT器件主要包括焊接型IGBT器件和壓接型IGBT器件，其中，壓接型IGBT器件因具有獨特的短路失效模式特性、易于串聯、結構緊湊等優點得到廣泛應用。

但正是由于壓接型IGBT器件內部空間緊湊，導致在其內部難以裝設電流傳感器以監控其運行狀態。尤其是當壓接型器件安裝于變頻器、功率單元等設備上時，只能監測其總電流，不能單獨監測其內部各芯片的電流以評估其工作狀態和使用壽命。

為了解決上述問題，現有技術中，在壓接型IGBT器件的封裝結構內部的凸臺外套設羅氏線圈，通過羅氏線圈來采集芯片電流。但是這種方式無疑需要擴大整個器件的尺寸才能為羅氏線圈提供裝配空間，這導致器件體積增大，并且易導致器件功率密度下降的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供了一種壓接器件的封裝結構及電流測試方法，以解決現有技術中羅氏線圈的設置導致壓接器件體積增大、功率密度下降的問題。

根據第一方面，本發明實施例提供了一種壓接器件的封裝結構，包括設置于電路板上的若干壓接芯片，所述電路板的外圍設置有若干錯位過孔，導電線沿錯位方向依次繞制于各所述錯位過孔形成羅氏線圈。

可選地，所述若干錯位過孔包括若干內圈過孔和若干外圈過孔，若干所述內圈過孔沿內圈均勻分布，若干所述外圈過孔沿外圈均勻分布；

所述導電線依次繞經所述電路板的第一表面、所述內圈過孔、所述電路板的第二表面以及所述外圈過孔，依此循環形成所述羅氏線圈。

可選地，所述電路板外圍的厚度為1－2mm。

可選地，所述羅氏線圈的匝數不少于500匝。

可選地，所述羅氏線圈的輸入輸出端外接電流測試單元。

可選地，各所述壓接芯片的驅動信號線均引出并連接控制端，且各所述驅動信號線上均串聯有控制開關。

可選地，各所述壓接芯片的驅動信號線上均串聯一等值電阻。

可選地，所述電路板上設置有若干凸臺，各所述壓接芯片分別設置于各所述凸臺上，所述凸臺與所述壓接芯片的驅動信號接收端電連接，所述驅動信號線由所述凸臺直接引出。

根據第二方面，本發明實施例提供了一種壓接器件的電流測試方法，包括以下步驟：

閉合需要進行電流測試的壓接芯片所對應的驅動信號線上的控制開關，斷開剩余壓接芯片所對應的驅動信號線上的控制開關；

控制端發出驅動信號至所述驅動信號線；

通過電路板外圍的羅氏線圈采集流經所述電路板的電流信號，其中，所述羅氏線圈設置于所述電路板內部。

本發明提供的技術方案具有以下優點：