[發(fā)明專利]包括用于檢測字線缺陷的電路的存儲裝置及其操作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811152590.4 | 申請日: | 2018-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN109712664A | 公開(公告)日: | 2019-05-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李在潤;權(quán)俊秀;金炳秀;金水龍;樸商秀;樸一漢;李康斌;李宗勛;崔那榮 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G11C29/12 | 分類號: | G11C29/12;G11C29/30;G11C29/00;G11C16/12 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務(wù)所 11330 | 代理人: | 李娜 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 字線 第二存儲單元 存儲單元 存儲裝置 電壓施加 時鐘信號 檢測字 線缺陷 脈沖 電路 存儲單元陣列 電壓發(fā)生器 檢測電路 字線缺陷 監(jiān)測泵 泵激 襯底 配置 編程 檢測 | ||
1.一種存儲裝置,所述存儲裝置包括:
存儲單元陣列,所述存儲單元陣列包括設(shè)置在襯底上的第一存儲單元和位于所述第一存儲單元上方的第二存儲單元;
連接到所述第一存儲單元的第一字線和連接到所述第二存儲單元的第二字線,所述第二字線設(shè)置在所述第一字線上方;
時鐘發(fā)生器,所述時鐘發(fā)生器被配置為當(dāng)泵激電壓低于基準(zhǔn)泵激電壓時生成泵激時鐘信號;
電壓發(fā)生器,所述電壓發(fā)生器被配置為響應(yīng)于所述泵激時鐘信號生成所述泵激電壓,并基于所述泵激電壓生成第一電壓和與所述第一電壓不同的第二電壓;以及
字線缺陷檢測電路,所述字線缺陷檢測電路被配置為在將所述第一電壓施加到所述第一字線時監(jiān)測所述泵激時鐘信號的脈沖的數(shù)目,以檢測所述第一字線的缺陷,
其中,所述電壓發(fā)生器被配置為當(dāng)所述泵激時鐘信號的脈沖的數(shù)目小于基準(zhǔn)值時將所述第二電壓施加到所述第二字線以對所述第二存儲單元進(jìn)行編程。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置,其中,所述電壓發(fā)生器被配置為在完成了對所述第二存儲單元的編程之后將所述第二電壓施加到所述第一字線以對所述第一存儲單元進(jìn)行編程。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置,其中,所述第一電壓小于所述第二電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置,其中,所述第一字線包括第三字線和設(shè)置在所述第三字線上方的第四字線,
其中,所述第二字線包括第五字線和設(shè)置在所述第五字線上方的第六字線,
其中,所述第三字線和所述第四字線之間的第一間隔與所述第五字線和所述第六字線之間的第二間隔不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲裝置,其中,所述第一間隔小于所述第二間隔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置,其中,所述字線缺陷檢測電路包括:
計數(shù)器,所述計數(shù)器被配置為對所述泵激時鐘信號的脈沖的數(shù)目進(jìn)行計數(shù);以及
比較器,所述比較器被配置為將所述泵激時鐘信號的脈沖的數(shù)目與所述基準(zhǔn)值進(jìn)行比較,以判定所述第一字線是否存在缺陷。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置,其中,所述電壓發(fā)生器包括:
判定信號發(fā)生器,所述判定信號發(fā)生器被配置為將所述泵激電壓與基準(zhǔn)泵激電壓進(jìn)行比較以輸出判定信號,
其中,所述時鐘發(fā)生器被配置為基于所述判定信號和系統(tǒng)時鐘信號生成所述泵激時鐘信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置,其中,所述字線缺陷檢測電路被配置為在完成了對包括所述第一存儲單元和所述第二存儲單元的存儲塊的擦除操作之后監(jiān)測所述泵激時鐘信號的脈沖的數(shù)目。
9.一種用于操作存儲裝置的方法,所述方法包括:
提供存儲單元陣列,所述存儲單元陣列包括設(shè)置在襯底上的第一存儲單元、連接到所述第一存儲單元的第一字線、設(shè)置在所述第一存儲單元上方的第二存儲單元以及設(shè)置在所述第一字線上方并連接到所述第二存儲單元的第二字線;
當(dāng)泵激電壓低于基準(zhǔn)泵激電壓時生成泵激時鐘信號;
響應(yīng)于所述泵激時鐘信號生成所述泵激電壓,并基于所述泵激電壓生成第一電壓和與所述第一電壓不同的第二電壓;
通過在將所述第一電壓施加到所述第一字線時監(jiān)測所述泵激時鐘信號的脈沖的第一數(shù)目來檢測所述第一字線的缺陷;以及
當(dāng)所述泵激時鐘信號的脈沖的第一數(shù)目小于第一基準(zhǔn)值時,通過將所述第二電壓施加到所述第二字線來對所述第二存儲單元進(jìn)行編程。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,所述方法還包括:
在完成了對所述第二存儲單元的編程之后,通過將所述第二電壓施加到所述第一字線來對所述第一存儲單元進(jìn)行編程。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星電子株式會社,未經(jīng)三星電子株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811152590.4/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:熔絲編程單元、熔絲電路及其編程過程
- 下一篇:存儲器及存儲器的功能測試方法





