[發(fā)明專利]陣列基板和柔性顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811151426.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109449163B | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金世遇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣州國顯科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 胡艾青;劉芳 |
| 地址: | 511300 廣東省廣州市增城區(qū)永*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 柔性 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供一種陣列基板和柔性顯示裝置,陣列基板的非顯示區(qū)層疊設(shè)置有平坦化膜層和金屬膜層,在所述平坦化膜層與所述金屬膜層之間設(shè)置有嵌設(shè)的凹凸配合結(jié)構(gòu)。相比于平坦化膜層與所述金屬膜層原本平坦的接觸表面,本實(shí)施例的凹凸配合結(jié)構(gòu)增加了平坦化膜層和金屬膜層之間的接觸面積,增大兩者表面間的粘附力。而且,凹凸配合結(jié)構(gòu)的嵌合增加了膜層水平方向的相對(duì)限位能力,改善了在陣列基板彎折時(shí)平坦化膜層和金屬膜層受力不均的情況,降低了平坦化膜層和金屬膜層發(fā)生膜層剝離的可能性,提高了陣列基板的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,進(jìn)而提高了使用此種陣列基板的柔性顯示裝置的穩(wěn)定性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板和柔性顯示裝置。
背景技術(shù)
柔性顯示裝置是一種可變形可彎曲的顯示裝置,具有便攜方便以及可彎折卷曲等優(yōu)點(diǎn)。陣列基板作為柔性顯示裝置的關(guān)鍵部件之一,為了增加柔性顯示裝置的顯示面積,目前較常用的一種方式是使陣列基板的非顯示區(qū)永久性保持彎曲,因此提高陣列基板的非顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性是十分必要的。
陣列基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū),所述顯示區(qū)上方的像素限定層中設(shè)置有有機(jī)發(fā)光層。所述非顯示區(qū)通常包括依次層疊的柔性襯底層、溝道形成層、金屬層下絕緣層、第一金屬走線層、金屬層上絕緣層、第二金屬走線層、平坦化層。其中,平坦化層之上設(shè)置陽極層。所述非顯示區(qū)中,溝道形成層、柵極絕緣層、電容絕緣層、金屬層下絕緣層和金屬層上絕緣層為無機(jī)膜層;第一金屬走線層和第二金屬走線層為金屬膜層;平坦化層為有機(jī)膜層。
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡(jiǎn)稱為OLED)顯示裝置是常用的一種柔性顯示裝置。無機(jī)膜層的物理延展性差,在彎折過程容易因應(yīng)力作用發(fā)生斷裂。因此在現(xiàn)有OLED顯示裝置生產(chǎn)制造中,通常去除掉陣列基板的非顯示區(qū)的無機(jī)膜層,并在原無機(jī)膜層位置填充物理延展性較好的有機(jī)膜層。通過最終形成的有機(jī)膜層和金屬膜層來實(shí)現(xiàn)非顯示區(qū)可彎折。
然而,在柔性顯示裝置彎折時(shí)金屬膜層與有機(jī)膜層結(jié)構(gòu)受應(yīng)力不均,在應(yīng)力作用下易發(fā)生膜層剝離,導(dǎo)致柔性顯示裝置損壞。可見,現(xiàn)有的柔性顯示裝置非顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性不高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板和柔性顯示裝置,以降低金屬膜層與有機(jī)膜層之間發(fā)生膜層剝離的可能性,進(jìn)而提高柔性顯示裝置非顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面,提供一種陣列基板,包括顯示區(qū)和非顯示區(qū);
所述非顯示區(qū)包括層疊設(shè)置的平坦化膜層和金屬膜層;所述平坦化膜層與所述金屬膜層之間設(shè)置嵌設(shè)的凹凸配合結(jié)構(gòu)。
可選地,在第一方面的一種可能實(shí)現(xiàn)方式中,所述平坦化膜層中設(shè)置有凹槽部,所述金屬膜層上設(shè)置有凸起部,所述凸起部嵌設(shè)在所述凹槽部?jī)?nèi)。
可選地,在第一方面的另一種可能實(shí)現(xiàn)方式中,所述金屬膜層和設(shè)置于其上的所述凸起部為一體結(jié)構(gòu),且材料相同。
可選地,在第一方面的再一種可能實(shí)現(xiàn)方式中,所述金屬膜層中設(shè)置有凹槽部,所述平坦化膜層上設(shè)置有凸起部,其中凸起部嵌設(shè)在凹槽部?jī)?nèi)。
可選地,在第一方面的又一種可能實(shí)現(xiàn)方式中,所述平坦化膜層和設(shè)置于其上的所述凸起部為一體結(jié)構(gòu),且材料相同。
可選地,在第一方面的又一種可能實(shí)現(xiàn)方式中,所述凸起部分布于以下至少一個(gè)區(qū)域中:
所述非顯示區(qū)靠近所述顯示區(qū)的第一邊緣區(qū)域;
所述非顯示區(qū)遠(yuǎn)離所述顯示區(qū)的第二邊緣區(qū)域;
所述非顯示區(qū)用于彎折變形的中心彎折區(qū)域。
可選地,在第一方面的又一種可能實(shí)現(xiàn)方式中,分布在所述中心彎折區(qū)域中的所述凸起部為條狀凸起部,且所述條狀凸起部的延伸方向,與所述中心彎折區(qū)域中預(yù)設(shè)折彎線的延伸方向一致。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





