[發明專利]一種量子點發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 201811150231.5
• 申請日: 2018-09-29
• 公開（公告）號: CN110970569B
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 吳勁衡;吳龍佳;何斯納
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開一種量子點發光二極管及其制備方法，所述量子點發光二極管包括：陽極、陰極、設置在所述陽極和陰極之間的量子點發光層、設置在所述陽極和量子點發光層之間的空穴傳輸層，其中，所述空穴傳輸層包括金屬氧化物納米顆粒和黑磷納米材料，所述黑磷納米材料表面含有P?O?P鍵，所述黑磷納米材料表面的P?O?P鍵中的氧元素與金屬氧化物納米顆粒中的金屬元素配位結合。本發明空穴傳輸層中，通過在金屬氧化物納米顆粒之間分散黑磷納米材料，可以明顯改善金屬氧化物納米顆粒的空穴遷移率，從而提高空穴傳輸層的空穴傳輸效率，進而提高量子點發光二極管的發光效率。

技術領域

本發明涉及量子點發光器件領域，尤其涉及一種量子點發光二極管及其制備方法。

背景技術

量子點發光二極管具有光譜連續可調、發光光譜窄、量子效率高等優點，是極具潛力的顯示技術，在顯示領域有著極大的應用潛力。目前量子點發光二極管的效率及使用壽命受材料的限制未有較大突破，其中電子傳輸層和空穴傳輸層的材料對量子點發光二極管的發光效率有著重要的影響。

目前常見的量子點發光二極管中，常用有機聚合物（如PEDOT:PSS）以及金屬氧化物（如NiO、MoO₃、V₂O₅、WO₃等）作為空穴傳輸層材料。其中，金屬氧化物材料因其具有更好的化學穩定性而被用于制備高壽命器件，然而其較低的空穴遷移率使得器件無法達到較高的發光效率。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種量子點發光二極管及其制備方法，旨在解決現有金屬氧化物作為空穴傳輸材料，其空穴傳輸效率較低、空穴-電子電荷傳輸不均導致器件性能不佳的問題。

本發明的技術方案如下：

一種量子點發光二極管，包括：陽極、陰極、設置在所述陽極和陰極之間的量子點發光層、設置在所述陽極和量子點發光層之間的空穴傳輸層，其中，所述空穴傳輸層包括金屬氧化物納米顆粒和黑磷納米材料，所述黑磷納米材料表面含有P-O-P鍵，所述黑磷納米材料表面的P-O-P鍵中的氧元素與金屬氧化物納米顆粒表面的金屬元素結合。

一種量子點發光二極管的制備方法，其中，包括步驟：

提供包含黑磷納米材料與金屬氧化物納米顆粒的混合液，所述黑磷納米材料表面含有P-O-P鍵；

將所述混合液沉積在基板上，加熱形成空穴傳輸層。

有益效果：本發明空穴傳輸層中，通過在金屬氧化物納米顆粒之間分散黑磷納米材料，所述黑磷納米材料表面含有P-O-P鍵，所述黑磷納米材料表面的P-O-P鍵中的氧元素與金屬氧化物納米顆粒表面的金屬元素結合，擁有良好空穴傳導性能的黑磷納米材料可以明顯改善金屬氧化物納米顆粒的空穴遷移率，從而提高空穴傳輸層的空穴傳輸效率，進而提高量子點發光二極管的發光效率。

附圖說明

圖1為本發明實施例中提供的一種量子點發光二極管的結構示意圖。

具體實施方式

本發明提供一種量子點發光二極管及其制備方法，為使本發明的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下對本發明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

本發明實施例提供一種量子點發光二極管，包括：陽極、陰極、設置在所述陽極和陰極之間的量子點發光層、設置在所述陽極和量子點發光層之間的空穴傳輸層，其中，所述空穴傳輸層包括金屬氧化物納米顆粒和黑磷納米材料，所述黑磷納米材料表面含有P-O-P鍵，所述黑磷納米材料表面的P-O-P鍵中的氧元素與金屬氧化物納米顆粒表面的金屬元素結合。