[發(fā)明專利]一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811150231.5 | 申請日： | 2018-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN110970569B | 公開（公告）日： | 2021-07-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳勁衡;吳龍佳;何斯納 | 申請（專利權(quán)）人： | TCL科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 量子 發(fā)光二極管 及其 制備 方法 | ||
1.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括：陽極、陰極、設(shè)置在所述陽極和陰極之間的量子點(diǎn)發(fā)光層、設(shè)置在所述陽極和量子點(diǎn)發(fā)光層之間的空穴傳輸層，其特征在于，所述空穴傳輸層包括金屬氧化物納米顆粒和黑磷納米材料，所述黑磷納米材料表面含有P-O-P鍵，所述黑磷納米材料表面的P-O-P鍵中的氧元素與所述金屬氧化物納米顆粒表面的金屬元素結(jié)合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述空穴傳輸層包括金屬氧化物納米顆粒和分散在多個(gè)金屬氧化物納米顆粒之間的黑磷納米材料，所述金屬氧化物納米顆粒通過所述黑磷納米材料聯(lián)接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述空穴傳輸層中，所述黑磷納米材料與所述金屬氧化物納米顆粒的質(zhì)量比為1.0-10.0：100。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述黑磷納米材料為黑磷納米顆粒，所述黑磷納米顆粒的粒徑為5-20nm；
或所述黑磷納米材料為黑磷納米片，所述黑磷納米片的厚度為5-20nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述金屬氧化物納米顆粒選自氧化鎳納米顆粒、氧化鉬納米顆粒、氧化釩納米顆粒和氧化鎢納米顆粒中的一種或多種；
和/或，金屬氧化物納米顆粒的粒徑為5-50nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述空穴傳輸層的厚度為30-100nm。
7.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括步驟：
提供包含黑磷納米材料與金屬氧化物納米顆粒的混合液，所述黑磷納米材料表面含有P-O-P鍵；
將所述混合液沉積在基板上，加熱形成空穴傳輸層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述混合液中，所述金屬氧化物納米顆粒的濃度為50-120mg/ml；
和/或，所述混合液中，所述黑磷納米材料與所述金屬氧化物納米顆粒的質(zhì)量比為1.0-10.0：100。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述黑磷納米材料通過以下方法制備得到：將初始黑磷納米材料置于空氣中，通過紫外光照射后制得所述黑磷納米材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述紫外光照射的時(shí)間為3-5min。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
