[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201811149702.0
• 申請日: 2018-09-29
• 公開（公告）號: CN109244086B
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 顧仁權;姚琪;黎午升;李東升;吳慧利;李士佩;尹東升;賀芳;岳陽
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

本發明公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，包括襯底基板，位于襯底基板一側的引出線和無機絕緣層；襯底基板上具有貫穿襯底基板且填充有第一導電材料的多個連接孔；無機絕緣層上具有第一通孔和第二通孔，第一通孔貫穿至第一導電材料，第二通孔貫穿至引出線；第二導電層位于第一通孔、第二通孔和無機絕緣層遠離襯底基板的一側，使得第一導電材料與引出線通過第二導電層電連接。由于可在制作引出線和無機絕緣層的高溫工藝結束后，通過打第一通孔和第二通孔的方式實現引出線與第一導電材料的電連接，因此，有效保證了信號線與集成電路芯片的走線之間的連接，解決了銅等第一導電材料膨脹導致的斷線不良。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置。

背景技術

玻璃通孔(Through Glass Via，簡稱TGV)技術是制造三維集成電路的關鍵技術。一般地，TGV技術是使用激光在幾百微米厚的玻璃上打通寬度為數十微米至幾百個微米的通孔，然后在通孔中填充銅(Cu)來連接電子元器件。

發明內容

本發明實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置，用以解決Cu膨脹導致的斷線不良的問題。

因此，本發明實施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板，位于所述襯底基板一側的引出線和無機絕緣層；所述襯底基板上具有貫穿所述襯底基板且填充有第一導電材料的多個連接孔；

所述無機絕緣層上具有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔貫穿所述無機絕緣層至所述第一導電材料，所述第二通孔貫穿所述無機絕緣層至所述引出線；

在所述第一通孔、所述第二通孔和所述無機絕緣層遠離所述襯底基板的一側設置有第二導電層，以使所述第一導電材料和所述引出線通過所述第二導電層電連接。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述襯底基板上設置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的信號線與所述引出線電連接。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述信號線包括柵線和數據線，所述引出線與所述柵線或所述數據線同層設置。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述引出線位于邊框區域，所述信號線位于顯示區域。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述薄膜晶體管包括柵絕緣層和鈍化層，所述無機絕緣層包括所述柵絕緣層和所述鈍化層。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，還包括位于所述薄膜晶體管遠離所述襯底基板一側的平坦層，所述第一通孔和所述第二通孔還貫穿所述平坦層。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，還包括：位于所述平坦層遠離所述襯底基板一側的微型發光二極管；

所述微型發光二極管的正負極與所述薄膜晶體管的源漏極通過第三導電部件連接。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述第三導電部件與所述第二導電層同層設置。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管或低溫多晶硅薄膜晶體管。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述第一導電材料為銅。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述第二導電層的材料為銀/氧化銦錫/銀。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，還包括：位于所述襯底基板另一側的第一絕緣層、第二絕緣層和集成電路芯片；