[發(fā)明專利]半導(dǎo)體工藝裝置及其工作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811147945.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109326541A | 公開(公告)日: | 2019-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳伯廷;吳宗祐;林宗賢 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吳敏 |
| 地址: | 223302 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體工藝 室內(nèi)熱輻射 進(jìn)氣口 腔室內(nèi)側(cè)壁 輸入反應(yīng) 腔室 室內(nèi) 熱輻射信息 感溫元件 腔室材料 副產(chǎn)物 檢測(cè)腔 去除 室外 損傷 | ||
一種半導(dǎo)體工藝裝置及其工作方法,其中,半導(dǎo)體工藝裝置包括:腔室,所述腔室具有進(jìn)氣口,所述進(jìn)氣口用于向腔室內(nèi)輸入反應(yīng)氣體;感溫元件,位于腔室外,用于檢測(cè)腔室內(nèi)熱輻射信息;控制單元,用于獲取所述腔室內(nèi)熱輻射信息,并在腔室內(nèi)熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息一致時(shí),停止向腔室內(nèi)輸入反應(yīng)氣體。利用所述半導(dǎo)體工藝裝置能夠完全去除腔室內(nèi)側(cè)壁的副產(chǎn)物,還能夠減少對(duì)腔室內(nèi)側(cè)壁的損傷。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,尤其涉及一種半導(dǎo)體工藝裝置及其工作方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體工藝制造過程中,所述半導(dǎo)體工藝通常在相應(yīng)的腔室內(nèi)進(jìn)行,在進(jìn)行半導(dǎo)體工藝的過程中,易在腔室的內(nèi)側(cè)壁產(chǎn)生副產(chǎn)物。為了防止副產(chǎn)物對(duì)后續(xù)工藝造成影響,通常定期對(duì)腔室的內(nèi)側(cè)壁進(jìn)行清潔保養(yǎng)。目前,清潔保養(yǎng)的方法包括:物理擦拭法和化學(xué)去除法。
然而,現(xiàn)有方法對(duì)腔室內(nèi)側(cè)壁的清潔保養(yǎng)的效果較差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種半導(dǎo)體工藝裝置及其工作方法,能夠保證腔室內(nèi)側(cè)壁清洗度,且減少對(duì)腔室內(nèi)側(cè)壁造成損傷。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體工藝裝置,包括:腔室,所述腔室具有進(jìn)氣口,所述進(jìn)氣口用于向腔室內(nèi)輸入反應(yīng)氣體;感溫元件,位于腔室外,用于檢測(cè)腔室內(nèi)熱輻射信息;控制單元,用于獲取所述腔室內(nèi)熱輻射信息,并在腔室內(nèi)熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息一致時(shí),停止向腔室內(nèi)輸入反應(yīng)氣體。
可選的,所述腔室用于進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝、原子層沉積工藝或者干法刻蝕工藝。
可選的,所述感溫元件包括:全輻射溫度傳感器。
可選的,還包括:輸氣管,所述輸氣管與進(jìn)氣口連通,所述輸氣管用于向腔室內(nèi)輸入反應(yīng)氣體;開關(guān),用于控制輸氣管內(nèi)的反應(yīng)氣體流動(dòng)或者停止。
可選的,還包括:驗(yàn)證單元,用于驗(yàn)證腔室內(nèi)側(cè)壁是否潔凈;所述驗(yàn)證單元包括:判斷單元,所述判斷單元用于判斷腔室內(nèi)熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息是否一致;反饋單元,當(dāng)腔室內(nèi)熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息一致時(shí),所述反饋單元用于停止向腔室內(nèi)通入反應(yīng)氣體,當(dāng)所述腔室內(nèi)熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息不一致時(shí),所述反饋單元用于向腔室內(nèi)通入反應(yīng)氣體。
相應(yīng)的,本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體工藝裝置的工作方法,包括:提供上述半導(dǎo)體工藝裝置;提供反應(yīng)氣體,所述反應(yīng)氣體通過進(jìn)氣口進(jìn)入腔室內(nèi),所述反應(yīng)氣體對(duì)腔室內(nèi)側(cè)壁進(jìn)行清潔;采用感溫元件檢測(cè)腔室內(nèi)熱輻射信息;利用控制單元獲取所述腔室內(nèi)熱輻射信息,當(dāng)腔室內(nèi)熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息一致時(shí),所述控制單元停止向腔室內(nèi)輸入反應(yīng)氣體。
可選的,所述控制單元停止向腔室內(nèi)輸入反應(yīng)氣體之后,還包括:通過驗(yàn)證單元進(jìn)行驗(yàn)證試驗(yàn);所述驗(yàn)證單元包括:判斷單元,所述判斷單元用于判斷腔室內(nèi)熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息一致;反饋單元,當(dāng)腔室內(nèi)熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息一致時(shí),所述反饋單元用于停止向腔室內(nèi)通入反應(yīng)氣體,當(dāng)所述腔室內(nèi)熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息不一致時(shí),所述反饋單元用于向腔室內(nèi)通入反應(yīng)氣體;所述驗(yàn)證試驗(yàn)的方法包括:對(duì)腔室進(jìn)行升溫處理;開啟感溫元件;當(dāng)所述升溫處理達(dá)到目標(biāo)溫度及開啟感溫元件之后,對(duì)腔室的溫度進(jìn)行降溫處理;在降溫處理的過程中,通過所述感溫元件檢測(cè)腔室內(nèi)熱輻射信息;通過判斷單元判斷腔室內(nèi)熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息是否一致;當(dāng)腔室內(nèi)熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息一致時(shí),所述反饋單元停止向腔室內(nèi)通入反應(yīng)氣體;當(dāng)腔室內(nèi)熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息不一致時(shí),所述反饋單元向腔室內(nèi)通入反應(yīng)氣體。
可選的,當(dāng)腔室材料的熱輻射信息為腔室材料溫度相對(duì)于時(shí)間的變化關(guān)系信息時(shí),所述感溫元件檢測(cè)腔室內(nèi)熱輻射信息為腔室內(nèi)溫度相對(duì)于時(shí)間的變化關(guān)系信息。
可選的,當(dāng)腔室材料的熱輻射信息為腔室材料的波長相對(duì)于溫度的變化關(guān)系信息時(shí),所述感溫元件檢測(cè)的熱輻射信息為腔室內(nèi)波長相對(duì)于溫度變化關(guān)系信息。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





