[發明專利]半導體工藝裝置及其工作方法

在審

• 申請號: 201811147945.0
• 申請日: 2018-09-29
• 公開（公告）號: CN109326541A
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發明（設計）人: 陳伯廷;吳宗祐;林宗賢
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導體工藝裝置，其特征在于，包括：

腔室，所述腔室具有進氣口，所述進氣口用于向腔室內輸入反應氣體；

感溫元件，位于腔室外，用于檢測腔室內熱輻射信息；

控制單元，用于獲取所述腔室內熱輻射信息，并在腔室內熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息一致時，停止向腔室內輸入反應氣體。

2.如權利要求1所述的半導體工藝裝置，其特征在于，所述腔室用于進行化學氣相沉積工藝、原子層沉積工藝或者干法刻蝕工藝。

3.如權利要求1所述的半導體工藝裝置，其特征在于，所述感溫元件包括：全輻射溫度傳感器。

4.如權利要求1所述的半導體工藝裝置，其特征在于，還包括：輸氣管，所述輸氣管與進氣口連通，所述輸氣管用于向腔室內輸入反應氣體；開關，用于控制輸氣管內的反應氣體流動或停止。

5.如權利要求1所述的半導體工藝裝置，其特征在于，還包括：驗證單元，用于驗證腔室內側壁是否潔凈；所述驗證單元包括：判斷單元，所述判斷單元用于判斷腔室內熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息一致；反饋單元，當腔室內熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息一致時，所述反饋單元用于停止向腔室內通入反應氣體，當所述腔室內熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息不一致時，所述反饋單元用于向腔室內通入反應氣體。

6.一種半導體工藝裝置的工作方法，其特征在于，包括：

提供權利要求1至權利要求5任一項所述的半導體工藝裝置；

提供反應氣體，所述反應氣體通過進氣口進入腔室內，對腔室內壁進行清潔；

采用感溫元件檢測腔室內熱輻射信息；

利用控制單元獲取所述腔室內熱輻射信息，當腔室內熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息一致時，所述控制單元停止向腔室內輸入反應氣體。

7.如權利要求6所述的半導體工藝裝置的工作方法，其特征在于，所述控制單元停止向腔室內輸入反應氣體之后，還包括：通過驗證單元進行驗證試驗；所述驗證單元包括：判斷單元，所述判斷單元用于判斷腔室內熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息一致；反饋單元，當腔室內熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息一致時，所述反饋單元用于停止向腔室內通入反應氣體，當所述腔室內熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息不一致時，所述反饋單元用于向腔室內通入反應氣體；所述驗證試驗的方法包括：對腔室進行升溫處理；開啟感溫元件；當所述升溫處理達到目標溫度及開啟感溫元件后，對腔室進行降溫處理；在降溫處理的過程中，通過所述感溫元件檢測腔室內的熱輻射信息；通過判斷單元判斷腔室內熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息是否一致；當腔室內熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息一致時，所述反饋單元停止向腔室內通入反應氣體；當腔室內熱輻射信息與腔室材料的熱輻射信息不一致時，所述反饋單元向腔室內通入反應氣體。

8.如權利要求7所述的半導體工藝裝置的工作方法，其特征在于，當腔室材料的熱輻射信息為腔室材料溫度相對于時間的變化關系信息時，所述感溫元件檢測腔室內熱輻射信息為腔室內溫度相對于時間的變化關系信息。

9.如權利要求7所述的半導體工藝裝置的工作方法，其特征在于，當腔室材料的熱輻射信息為腔室材料的波長相對于溫度的變化關系信息時，所述感溫元件檢測腔室內的熱輻射信息為腔室內波長相對于溫度的變化關系信息。

10.如權利要求7所述的半導體工藝裝置的工作方法，其特征在于，所述升溫處理的升溫范圍為80攝氏度～120攝氏度；所述降溫處理的降溫范圍為：80攝氏度～120攝氏度。