[發明專利]半導體裝置的形成方法在審
| 申請號： | 201811147913.0 | 申請日： | 2018-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN109599340A | 公開（公告）日： | 2019-04-09 |
| 發明（設計）人： | 詹佳玲;林彥君 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷;李琛 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鰭狀物 摻雜區 凹陷 虛置柵極結構 間隔物 源極/漏極區 半導體裝置 自對準 布植 摻質 基板 移除 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置的形成方法，包括：
形成一鰭狀物于一基板上；
形成一虛置柵極結構于該鰭狀物上；
形成一第一間隔物于該虛置柵極結構上；
布植一第一摻質至該鰭狀物中，以形成與該第一間隔物相鄰的該鰭狀物的一摻雜區；
移除該鰭狀物的該摻雜區以形成一第一凹陷，其中該第一凹陷自對準該摻雜區；以及
外延成長一源極/漏極區于該第一凹陷中。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
