[發明專利]半導體裝置的形成方法

在審

• 申請號: 201811147913.0
• 申請日: 2018-09-29
• 公開（公告）號: CN109599340A
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發明（設計）人: 詹佳玲;林彥君
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷;李琛

方法包括形成鰭狀物于基板上；形成虛置柵極結構于鰭狀物上；形成第一間隔物于虛置柵極結構上；布植第一摻質至鰭狀物中，以形成與第一間隔物相鄰的鰭狀物的摻雜區；移除鰭狀物的摻雜區以形成第一凹陷，其中第一凹陷自對準摻雜區；以及外延成長源極/漏極區于第一凹陷中。

技術領域

本發明實施例關于鰭狀場效晶體管，更特別關于控制鰭狀場效晶體管的通道區形狀。

背景技術

半導體裝置已用于多種電子應用，比如個人電腦、手機、數碼相機、與其他電子設備。半導體裝置的制作方法通常為按序沉積絕緣或介電層、導電層、與半導體層的材料于半導體基板，并采用微影圖案化多種材料層，以形成電路構件與單元于半導體基板上。

半導體產業持續縮小最小結構尺寸，以持續改良多種電子構件如晶體管、二極管、電阻、電容、與類似物的集成密度，以整合更多構件至給定區域中。然而隨著最小結構尺寸縮小，將產生需解決的額外問題。

發明內容

本發明一實施例提供的半導體裝置的形成方法，包括形成鰭狀物于基板上；形成虛置柵極結構于鰭狀物上；形成第一間隔物于虛置柵極結構上；布植第一摻質至鰭狀物中，以形成與第一間隔物相鄰的鰭狀物的摻雜區；移除鰭狀物的摻雜區以形成第一凹陷，其中第一凹陷自對準摻雜區；以及外延成長源極/漏極區于第一凹陷中。

附圖說明

圖1是一些實施例中，鰭狀場效晶體管裝置的透視圖。

圖2是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖3是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖4是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖5是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖6A至6B是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖7A至7C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖8A至8C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖9A至9C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖10A至10C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖11是一些實施例的實驗結果，其反映摻雜輪廓與布植技術之間的關系。

圖12A至12C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖13A至13C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖14是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖15是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖16A至16C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖17A至17C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖18A至18C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖19A至19C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖20A至20C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。

圖21A至21C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段的剖視圖。