[發(fā)明專利]一種四通道微波T/R組件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811144572.1
• 申請(qǐng)日: 2018-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN109239672A
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜小輝;周井磊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京吉?jiǎng)P微波技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G01S7/02
• 分類號(hào): G01S7/02
• 代理公司: 廣州市深研專利事務(wù)所 44229
• 代理人: 姜若天

1.一種四通道微波T/R組件，是組成相同的四個(gè)獨(dú)立的T/R通道合一的共腔體結(jié)構(gòu)，包括將四個(gè)獨(dú)立的T/R通道并聯(lián)連接的四功分網(wǎng)絡(luò)，全部組成件都是單片微波集成電路MMIC，集成制作在同一塊多層電路基板上，采用多芯片組件MCM技術(shù)實(shí)現(xiàn)MMIC多芯片互連，四個(gè)獨(dú)立的T/R通道分別提供獨(dú)立的幅度和相位控制，分別包括發(fā)送與接收共用的微波器件，其特征在于：

所述微波器件是集成有發(fā)送與接收共用的六位放大器補(bǔ)償移相器、六位衰減器、工作狀態(tài)開關(guān)、限幅低噪聲放大器以及用于控制移相、衰減和開關(guān)的驅(qū)動(dòng)器的多功能MMIC裸芯片；

所述多層電路基板是高溫共燒陶瓷HTCC多層電路基板。

2.如權(quán)利要求1所述的四通道微波T/R組件，其特征在于：

所述微波器件是中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所出品的型號(hào)為NC15318C-812PD的多功能MMIC裸芯片。

3.如權(quán)利要求1或2所述的四通道微波T/R組件，其特征在于：

所述HTCC多層電路基板是至少為8層的HTCC多層電路基板。

4.如權(quán)利要求3所述的四通道微波T/R組件，其特征在于：

所述HTCC多層電路基板是18層的HTCC多層電路基板。

5.如權(quán)利要求4所述的四通道微波T/R組件，其特征在于：

所述HTCC多層電路基板是由92%~96%氧化鋁陶瓷外加4%~8%燒結(jié)助劑在溫度1500℃~1700℃下燒結(jié)而成的HTCC多層電路基板，其介電常數(shù)為9~9.8，每一層生胚材料的厚度為0.025mm~0.100mm，損耗角的正切值為0.2%~0.3%；

所述HTCC多層電路基板的表層至第7層的表面集成控制信號(hào)和電源信號(hào)，第8層至第18層的表面集成微波信號(hào)、控制信號(hào)和電源信號(hào)，其中第9層的表面和第18層的背面是大面積接地層。

6.如權(quán)利要求1所述的四通道微波T/R組件，其特征在于：

還包括驅(qū)動(dòng)控制芯片、電源模塊，以及末級(jí)功放組件、環(huán)形器隔離器組件、限幅低噪聲放大器芯片、發(fā)射電源調(diào)制器芯片、接收電源調(diào)制器芯片、耦合組件。

7.如權(quán)利要求6所述的四通道微波T/R組件，其特征在于：

所述控制芯片是中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所出品的型號(hào)為NC2059-1C的專用集成電路ASIC裸芯片；

所述電源模塊包括直流電源模塊和高峰值功率的脈沖電源模塊；

所述末級(jí)功放組件是中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所出品的型號(hào)為BW1164的功放組件；

所述環(huán)形器隔離器組件是株洲華毅微波技術(shù)科技有限公司出品的型號(hào)為HHW5048S的環(huán)形器隔離器組件；

所述限幅低噪聲放大器芯片是中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所出品的型號(hào)為BW2661的限幅低噪聲放大器裸芯片；

所述發(fā)射電源調(diào)制器芯片是中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所出品的型號(hào)為JS2318的硅基MOS電源調(diào)制器裸芯片；

所述接收電源調(diào)制器芯片是中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所出品的型號(hào)為JS1111的硅基MOS電源調(diào)制器裸芯片；

所述耦合組件是兩個(gè)分別包括二合一合成器、一分二功分器和檢波電路的后端天線單元。

8.如權(quán)利要求1所述的四通道微波T/R組件，其特征在于：

所述共腔體結(jié)構(gòu)，包括蓋板、圍框、底板，以及射頻連接器和低頻連接器。

9.如權(quán)利要求8所述的四通道微波T/R組件，其特征在于：

所述蓋板和圍框采用鋁硅材料封裝；

所述底板是鋁基碳化硅底板；

所述射頻連接器，包括T/R通道連接器、兩只耦合通道連接器和射頻總口連接器，是氣密SSMA射頻連接器，并通過焊接與圍框固定；

所述低頻連接器，包括低頻輸入連接器和電源輸入連接器，是氣密型微矩形低頻連接器。

10.如權(quán)利要求1所述的四通道微波T/R組件，其特征在于：

所述微波T/R組件是X波段T/R組件，所述X波段是符合IEEE 521-2002標(biāo)準(zhǔn)的頻率為8GHz～12 GHz的無線電波波段。