[發(fā)明專利]LDMOS器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811144001.8
• 申請日: 2018-09-29
• 公開（公告）號: CN109244140A
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許昭昭
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

本發(fā)明公開了一種LDMOS器件，包括：形成于第一外延層上的漂移區(qū)和體區(qū)，柵介質(zhì)層和多晶硅柵，源區(qū)和漏區(qū)；還包括共用介質(zhì)層，覆蓋多晶硅柵的第二側(cè)和漏區(qū)之間的漂移區(qū)表面且共用介質(zhì)層會延伸到多晶硅柵的表面上，共用介質(zhì)層還覆蓋部分漏區(qū)的表面；未被共用介質(zhì)層所覆蓋的多晶硅柵、源區(qū)和漏區(qū)的表面形成有自對準(zhǔn)金屬硅化物且共用介質(zhì)層作為自對準(zhǔn)金屬硅化物的生長阻擋層；在多晶硅柵的第二側(cè)和漏區(qū)之間的共用介質(zhì)層的表面形成有漏端場板；漏端場板底部的共用介質(zhì)層作為場板介質(zhì)層。本發(fā)明還公開了一種LDMOS器件的制造方法。本發(fā)明能降低工藝難度，提高競爭力。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種LDMOS器件；本發(fā)明還涉及一種LDMOS器件的制造方法。

背景技術(shù)

雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Double-diffused MOS)由于具有耐壓稿，大電流驅(qū)動(dòng)能力和極低功耗等特點(diǎn)，目前在電源管理電路中被廣泛采用。DMOS包括垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(VDMOS)和LDMOS(LDMOS)，在LDMOS器件中，導(dǎo)通電阻是一個(gè)重要的指標(biāo)。BCD工藝中，LDMOS雖然與CMOS集成在同一塊芯片中，但由于高耐壓和低特征電阻即導(dǎo)通電阻(Rsp)的要求，在進(jìn)行工藝整合時(shí)應(yīng)盡可能防止器件表面的硅受到損傷而導(dǎo)致器件性能退化。

如圖1所示，是現(xiàn)有LDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；以N型器件為例，現(xiàn)有LDMOS器件包括：

N型的第一外延層102，在所述第一外延層102的選定區(qū)域中形成有P型的漂移區(qū)104和N型的體區(qū)105；所述漂移區(qū)104和所述體區(qū)105橫向隔離有距離。

在所述第一外延層102的底部形成有P型重?fù)诫s的第一埋層101；所述第一埋層101形成于半導(dǎo)體襯底表面。通常，所述半導(dǎo)體襯底為P型摻雜的硅襯底，所述第一外延層102為硅外延層。

在所述漂移區(qū)104的選定區(qū)域中形成由漂移區(qū)場氧103。

在所述體區(qū)105的表面形成有由柵介質(zhì)層如柵氧化層106和多晶硅柵107疊加而成的柵極結(jié)構(gòu)，被所述多晶硅柵107覆蓋的所述體區(qū)105表面用于形成溝道。

所述柵介質(zhì)層6的第二側(cè)和所述漂移區(qū)場氧103的第一側(cè)相接觸，所述多晶硅柵107的第二側(cè)延伸到所述漂移區(qū)場氧103的表面上。

源區(qū)108a形成于所述體區(qū)105表面且所述源區(qū)108a的第二側(cè)和所述多晶硅柵 107的第一側(cè)自對準(zhǔn)。

漏區(qū)108b形成于所述漂移區(qū)104中且所述漏區(qū)108b的第一側(cè)和所述漂移區(qū)場氧103的第二側(cè)自對準(zhǔn)。

在所述體區(qū)105的表面還形成有N型重?fù)诫s的體引出區(qū)109，所述體引出區(qū)109 和所述源區(qū)108a的第一側(cè)的側(cè)面相接觸。所述體引出區(qū)109和所述源區(qū)108a會通過相同的接觸孔連接到由正面金屬層組成的源極。

漏區(qū)108b則會通過接觸孔連接到由正面金屬層組成的漏極，多晶硅柵107則會通過接觸孔連接到由正面金屬層組成的柵極。

圖1中，漂移區(qū)場氧103形成于第一外延層102的表面上方的結(jié)構(gòu)，所述漂移區(qū)場氧103采用氧化層淀積加光刻刻蝕工藝形成。這種漂移區(qū)場氧103的制造方法在漂移區(qū)場氧103刻蝕的時(shí)候需要精確控制以防止氧化層刻蝕時(shí)對底部的第一外延層102 表面即硅表面造成損傷，導(dǎo)致器件性能退化，如導(dǎo)致器件Rsp增大，擊穿電壓(BV) 減小。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種LDMOS器件，能降低工藝難度，提高競爭力。為此，本發(fā)明還提供一種LDMOS器件的制造方法。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的LDMOS器件包括：

第二導(dǎo)電類型的第一外延層，在所述第一外延層的選定區(qū)域中形成有第一導(dǎo)電類型的漂移區(qū)和第二導(dǎo)電類型的體區(qū)；所述漂移區(qū)和所述體區(qū)橫向接觸或隔離有距離。