[發明專利]LDMOS器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201811144001.8
• 申請日: 2018-09-29
• 公開（公告）號: CN109244140A
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 許昭昭
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種LDMOS器件，其特征在于，包括：

第二導電類型的第一外延層，在所述第一外延層的選定區域中形成有第一導電類型的漂移區和第二導電類型的體區；所述漂移區和所述體區橫向接觸或隔離有距離；

在所述體區的表面形成有由柵介質層和多晶硅柵疊加而成的柵極結構，被所述多晶硅柵覆蓋的所述體區表面用于形成溝道；所述柵介質層的第二側和所述多晶硅柵的第二側都延伸到所述漂移區的表面上；

源區形成于所述體區表面且所述源區的第二側和所述多晶硅柵的第一側自對準；

漏區形成于所述漂移區的選定區域中且所述漏區的第一側和所述多晶硅柵的第二側相隔有間距；

共用介質層，所述共用介質層覆蓋所述多晶硅柵的第二側和所述漏區之間的所述漂移區表面且所述共用介質層會延伸到所述多晶硅柵的表面上，所述共用介質層還覆蓋部分所述漏區的表面；未被所述共用介質層所覆蓋的所述多晶硅柵、所述源區和所述漏區的表面形成有自對準金屬硅化物且所述共用介質層作為所述自對準金屬硅化物的生長阻擋層；

在所述多晶硅柵的第二側和所述漏區之間的所述共用介質層的表面形成有漏端場板；所述漏端場板底部的所述共用介質層作為場板介質層。

2.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在所述第一外延層的底部形成有第一導電類型重摻雜的第一埋層；所述第一埋層形成于半導體襯底表面。

3.如權利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于：所述半導體襯底為硅襯底，所述第一外延層為硅外延層；

所述柵介質層為氧化硅；

所述共用介質層的材料為氧化硅。

4.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在所述體區的表面還形成有第二導電類型重摻雜的體引出區，所述體引出區和所述源區的第一側的側面相接觸，所述源區表面的自對準金屬硅化物也延伸到所述體引出區的表面。

5.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，還包括：

接觸孔刻蝕停止層，層間膜，接觸孔，正面金屬層；

各所述接觸孔穿過對應的所述層間膜和所述接觸孔刻蝕停止層并和底部的所述自對準金屬硅化物接觸；

所述源區、所述漏區、所述多晶硅柵和所述漏端場板的頂部都形成有對應的接觸孔，所述源區通過頂部的接觸孔連接到由所述正面金屬層組成的源極，所述漏區通過頂部的接觸孔連接到由所述正面金屬層組成的漏極，所述多晶硅柵通過頂部的接觸孔連接到由所述正面金屬層組成的柵極，所述漏端場板也通過頂部的接觸孔連接到由所述正面金屬層組成的柵極。

6.如權利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于：所述接觸孔刻蝕停止層由氧化層和氮化層疊加而成；

所述層間膜由氧化層組成。

7.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在所述多晶硅柵的側面還形成有側墻。

8.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述漏端場板包括第二多晶硅層或對所述第二多晶硅層進行表面進行自對準金屬硅化形成的自對準金屬硅化物；當所述第二多晶硅層的厚度減小到小于時，所述第二多晶硅層會全部轉化為自對準金屬硅化物，此時所述漏端場板完全由自對準金屬硅化物組成；

當所述第二多晶硅層未被完全轉換為自對準金屬硅化物時，所述漏端場板由剩余厚度的所述第二多晶硅層和表面自對準金屬硅化物疊加而成。