[發明專利]低成本高性能開關管驅動電路

在審

• 申請號: 201811142922.0
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN109167592A
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發明（設計）人: 徐新華;唐鋒
• 申請（專利權）人: 廣東百事泰電子商務股份有限公司
• 主分類號: H03K17/567
• 分類號: H03K17/567
• 代理公司: 廣州市南鋒專利事務所有限公司 44228
• 代理人: 鄭學偉

本發明公開了一種低成本高性能開關管驅動電路，包括共基極推挽對管和共門極推挽對管，所述共基極推挽對管的共基極與信號源的信號輸出端電性連接，用于在所述信號源的作用下輸出第一驅動信號；所述共門極推挽對管的共門極與所述共基極推挽對管的輸出端電性連接，共門極推挽對管的輸出端與被驅動晶體管的受控端連接，用于在所述第一驅動信號的作用下輸出第二驅動信號，對所述被驅動晶體管進行導通或截止的驅動。本發明的低成本高性能開關管驅動電路，具有成本低、高電平輸出時電壓接近電源電壓、低電平輸出時電壓接近地電壓、推拉電流大的特點，且驅動電路的交叉電流極少，使得開關管驅動電路的功耗較小，可靠性高。

技術領域

本發明涉及電源技術領域，尤其涉及一種低成本高性能開關管驅動電路。

背景技術

電力電子技術中采用開關管的開、關來實現能量的轉換。開關管的開關既影響到開關管的發熱，又是電磁輻射的源頭，而這一切均通過開關管的驅動實現。因此開關管的驅動既是電力電子技術的難點，又是重點。

現有技術中，開關管驅動電路的推、拉電流較小，無法使用于大功率開關管驅動，高電平輸出時電壓無法接近驅動電源電壓，低電平輸出時接近地電平。且開關管驅動電路功耗較大。且大功率開關管驅動電路的高性能器件選擇成本較高。

發明內容

本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此，本發明的一個目的在于提出一種低成本高性能開關管驅動電路。

為實現上述目的，根據本發明實施例的低成本高性能開關管驅動電路，包括共基極推挽對管，所述共基極推挽對管的共基極與信號源的信號輸出端電性連接，用于在所述信號源的作用下輸出第一驅動信號；

共門極推挽對管，所述共門極推挽對管的共門極與所述共基極推挽對管的輸出端電性連接，共門極推挽對管的輸出端與被驅動晶體管的受控端連接，用于在所述第一驅動信號的作用下輸出第二驅動信號，對所述被驅動晶體管進行導通或截止的驅動。

進一步地，根據本發明的一個實施例，所述共基極推挽對管包括：

第一三極管Q2，所述第一三極管Q2的集電極與第一供電電壓連接；

第二三極管Q3，所述第二三極管Q3的發射極與所述第一三極管Q2的發射極連接，所述第二三極管Q3的集電極與參考地連接，所述第二三極管Q3的基極與所述第一三極管Q2的基極連接，所述第一三極管Q2基極和第二三極管Q3的基極分別與所述信號源輸出端連接，所述第一三極管Q2和第二三極管Q3的發射極與所述共門極推挽對管的門極連接。

進一步地，根據本發明的一個實施例，所述第一三極管Q2為NPN型三極管，所述第二三極管Q3為PNP型三極管。

進一步地，根據本發明的一個實施例，所述共門極推挽對管包括：

第一MOS晶體管Q4，所述第一MOS晶體管Q4的源極與所述第一供電電壓連接；

第二MOS晶體管Q5，所述第二晶體管的漏極與所述第一MOS晶體管Q4的漏極連接，所述第二MOS晶體管Q5道源極與所述參考地連接，所述第二MOS晶體管Q5的門極與所述第一MOS晶體管Q4的門極連接，所述第一MOS晶體管Q4的門極和第二MOS晶體管Q5的門極分別與所述共基極推挽對管的所述第一驅動信號輸出端連接，所述第一MOS晶體管Q4的漏極和第二MOS晶體管Q5的漏極分別與所述被驅動晶體管的受控端連接。

進一步地，根據本發明的一個實施例，所述第一MOS晶體管Q4為P溝道晶體管，所述第二MOS晶體管Q5為N溝道晶體管。

進一步地，根據本發明的一個實施例，還包括：

第一電阻R4，所述第一電阻R4的一端與所述第一MOS晶體管Q4的漏極連接，所述第一電阻R4的另一端與所述被驅動晶體管的受控端連接；