[發明專利]低成本高性能開關管驅動電路

在審

• 申請號: 201811142922.0
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN109167592A
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發明（設計）人: 徐新華;唐鋒
• 申請（專利權）人: 廣東百事泰電子商務股份有限公司
• 主分類號: H03K17/567
• 分類號: H03K17/567
• 代理公司: 廣州市南鋒專利事務所有限公司 44228
• 代理人: 鄭學偉

1.一種低成本高性能開關管驅動電路，其特征在于，包括：

共基極推挽對管，所述共基極推挽對管的共基極與信號源的信號輸出端電性連接，用于在所述信號源的作用下輸出第一驅動信號；

共門極推挽對管，所述共門極推挽對管的共門極與所述共基極推挽對管的輸出端電性連接，共門極推挽對管的輸出端與被驅動晶體管的受控端連接，用于在所述第一驅動信號的作用下輸出第二驅動信號，對所述被驅動晶體管進行導通或截止的驅動。

2.根據權利要求1所述的低成本高性能開關管驅動電路，其特征在于，所述共基極推挽對管包括：

第一三極管Q2，所述第一三極管Q2的集電極與第一供電電壓連接；

第二三極管Q3，所述第二三極管Q3的發射極與所述第一三極管Q2的發射極連接，所述第二三極管Q3的集電極與參考地連接，所述第二三極管Q3的基極與所述第一三極管Q2的基極連接，所述第一三極管Q2基極和第二三極管Q3的基極分別與所述信號源輸出端連接，所述第一三極管Q2和第二三極管Q3的發射極與共門極推挽對管的門極連接。

3.根據權利要求2所述的低成本高性能開關管驅動電路，其特征在于，所述第一三極管Q2為NPN型三極管，所述第二三極管Q3為PNP型三極管。

4.根據權利要求3所述的低成本高性能開關管驅動電路，其特征在于，所述共門極推挽對管包括：

第一MOS晶體管Q4，所述第一MOS晶體管Q4的源極與所述第一供電電壓連接；

第二MOS晶體管Q5，所述第二晶體管的漏極與所述第一MOS晶體管Q4的漏極連接，所述第二MOS晶體管Q5道源極與所述參考地連接，所述第二MOS晶體管Q5的門極與所述第一MOS晶體管Q4的門極連接，所述第一MOS晶體管Q4的門極和第二MOS晶體管Q5的門極分別與所述共基極推挽對管的所述第一驅動信號輸出端連接，所述第一MOS晶體管Q4的漏極和第二MOS晶體管Q5的漏極分別與所述被驅動晶體管的受控端連接。

5.根據權利要求4所述的低成本高性能開關管驅動電路，其特征在于，所述第一MOS晶體管Q4為P溝道晶體管，所述第二MOS晶體管Q5為N溝道晶體管。

6.根據權利要求5所述的低成本高性能開關管驅動電路，其特征在于，還包括：

第一電阻R4，所述第一電阻R4的一端與所述第一MOS晶體管Q4的漏極連接，所述第一電阻R4的另一端與所述被驅動晶體管的受控端連接；

第二電阻R5，所述第二電阻R5的一端與所述第二MOS晶體管Q5的漏極連接，所述第二電阻R5的另一端與所述被驅動晶體管的受控端連接；

所述第一電阻R4和第二電阻R5用于所述共門極推挽對管的輸出電流電壓調節。

7.根據權利要求5所述的低成本高性能開關管驅動電路，其特征在于，還包括第三電阻R6，所述第三電阻R6的一端與所述被驅動晶體管的受控端連接，所述第三電阻R6的另一端與參考地連接；所述第三電阻R6用于對所述被驅動晶體管的受控端進行初始化復位。

8.根據權利要求5所述的低成本高性能開關管驅動電路，其特征在于，還包括第三MOS晶體管Q1，所述第三MOS晶體管Q1的門極與所述信號源的信號輸出端連接，所述第三MOS晶體管Q1的源極與參考地連接，所述第三MOS晶體管Q1的漏極與所述共基極推挽對管的共基極連接，所述第三MOS晶體管Q1的漏極還通過第四電阻R3與所述第一供電電壓連接；

所述第三MOS晶體管Q1為N溝道MOS晶體管。

9.根據權利要求5所述的低成本高性能開關管驅動電路，其特征在于，還包括：

第五電阻R7，所述第五電阻R7的一端分別與所述第一MOS晶體管Q4的漏極、第二晶體管的漏極連接，所述第五電阻R7的另一端與所述被驅動晶體管的受控端連接；

第六電阻R8，所述第六電阻R8的一端分別與所述第一MOS晶體管Q4的漏極、第二晶體管的漏極連接；

第一二極管D1，所述第一二極管D1的陰極與所述第六電阻R8的另一端連接，所述第一二極管D1的陽極與所述被驅動晶體管的受控端連接。