[發(fā)明專利]搭載芯片用的導(dǎo)線架陣列及多芯片發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811140129.7 | 申請日： | 2018-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN110970384A | 公開（公告）日： | 2020-04-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林貞秀;翁明堃 | 申請（專利權(quán)）人： | 光寶光電（常州）有限公司;光寶科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495;H01L33/48;H01L33/52;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京律和信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11446 | 代理人： | 武玉琴;冷文燕 |
| 地址： | 213123 江蘇省常州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 搭載 芯片 導(dǎo)線 陣列 發(fā)光二極管 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種搭載芯片用的導(dǎo)線架陣列，其特征在于，包括：
多個導(dǎo)線架，每一所述導(dǎo)線架的中心形成一功能區(qū)；其中任四個彼此相鄰的所述導(dǎo)線架之間形成十字狀的切割道；
其中任四個彼此相鄰的所述導(dǎo)線架之間具有兩對連接架橋組，分別橫貫所述切割道，每兩個相鄰的所述導(dǎo)線架各通過一個所述連接架橋組連接；每一所述連接架橋組各具有一內(nèi)側(cè)連接架橋、一斜向連接架橋及一外側(cè)連接架橋；四個所述內(nèi)側(cè)連接架橋共同圍繞形成一呈封閉狀的中心孔區(qū)，所述中心孔區(qū)位于四個彼此相鄰的所述導(dǎo)線架的中心；四個所述斜向連接架橋?qū)?yīng)地位于四個所述內(nèi)側(cè)連接架橋與四個所述外側(cè)連接架橋之間。
2.如權(quán)利要求1所述的搭載芯片用的導(dǎo)線架陣列，其特征在于，多個所述內(nèi)側(cè)連接架橋與多個所述外側(cè)連接架橋垂直于所述切割道，其中位于所述中心孔區(qū)相對兩側(cè)的多個所述內(nèi)側(cè)連接架橋與多個所述外側(cè)連接架橋彼此平行。
3.如權(quán)利要求1所述的搭載芯片用的導(dǎo)線架陣列，其特征在于，每一所述導(dǎo)線架具有四個承載基板，四個所述承載基板之間形成十字狀的分隔通道，其中每一個所述承載基板各連接有一個所述內(nèi)側(cè)連接架橋、一個所述斜向連接架橋及一個所述外側(cè)連接架橋。
4.如權(quán)利要求3所述的搭載芯片用的導(dǎo)線架陣列，其特征在于，多個所述連接架橋組的厚度小于所述承載基板的厚度。
5.如權(quán)利要求4所述的搭載芯片用的導(dǎo)線架陣列，其特征在于，每一所述斜向連接架橋連接二個所述承載基板的角落，所述內(nèi)側(cè)連接架橋與所述外側(cè)連接架橋的末端連接于所述承載基板的側(cè)邊。
6.如權(quán)利要求3所述的搭載芯片用的導(dǎo)線架陣列，其特征在于，所述導(dǎo)線架陣列具有一正面及一與所述正面相對的底面，在每一所述導(dǎo)線架的所述正面，每一所述承載基板的一外側(cè)角落各形成一半盲凹陷部。
7.如權(quán)利要求6所述的搭載芯片用的導(dǎo)線架陣列，其特征在于，每一所述承載基板靠近所述底面的內(nèi)側(cè)邊沿著所述分隔通道各形成一半盲階梯結(jié)構(gòu)。
8.一種多芯片發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
多個芯片；
一導(dǎo)線架，包括四個承載基板，每一所述承載基板的側(cè)邊沿著同一平面向外延伸三個導(dǎo)腳，所述導(dǎo)線架具有一正面及一相對于所述正面的底面，其中多個所述芯片置于所述導(dǎo)線架的所述正面；
一絕緣封裝體，包覆多個所述芯片以及所述導(dǎo)線架，所述絕緣封裝體具有一凹陷狀的反射部；以及
一透光充填料，填覆于所述反射部；
其中所述導(dǎo)線架的多個所述導(dǎo)腳外露于所述絕緣封裝體，其中所述絕緣封裝體的每一側(cè)外露有三個所述導(dǎo)腳并且其中二個所述導(dǎo)腳具有相同極性。
9.如權(quán)利要求8所述的多芯片發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反射部具有二組相對的弧面彼此連接形成四個交叉點(diǎn)，其中四個所述弧面的弧半徑彼此相等并且不位于同一圓心。
10.如權(quán)利要求9所述的多芯片發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，三個所述交叉點(diǎn)各形成一導(dǎo)圓角，其中一個所述交叉點(diǎn)具有一極性辨識結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求9所述的多芯片發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣封裝體呈正方形，四個所述弧面的圓心分別位于所述絕緣封裝體的四個邊的中間，所述弧半徑小于所述絕緣封裝體的邊長。
12.如權(quán)利要求9所述的多芯片發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣封裝體由所述反射部延伸至四個所述交叉點(diǎn)與四個所述承載基板的所述正面處而形成有包覆延伸結(jié)構(gòu)。
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