[發(fā)明專利]背照式BSI圖像傳感器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811139872.0
• 申請(qǐng)日: 2018-09-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109728011A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周耕宇;江偉杰;王銓中;曾建賢;橋本一明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蔣林清

本發(fā)明實(shí)施例涉及一種背照式BSI圖像傳感器，其包含：襯底，其包含正面及與所述正面對(duì)置的背面；多個(gè)像素傳感器，其布置成陣列；隔離柵格，其安置于所述襯底中且使所述多個(gè)像素傳感器彼此分離；及反射柵格，其在所述襯底的所述背面上安置于所述隔離柵格上方。所述反射柵格的深度小于所述隔離柵格的深度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體圖像傳感器，更具體的，涉及一種背照式BSI圖像傳感器。

背景技術(shù)

數(shù)字相機(jī)及其它成像裝置采用圖像傳感器。圖像傳感器將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成可表示為數(shù)字圖像的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。圖像傳感器包含像素傳感器陣列及支持邏輯電路。陣列的像素傳感器用于測(cè)量入射光的單位裝置，且支持邏輯電路促進(jìn)測(cè)量的讀出。常用于光學(xué)成像裝置中的圖像傳感器類型為背照式(BSI)圖像傳感器。BSI圖像傳感器制造可集成到常規(guī)半導(dǎo)體過(guò)程中以降低成本、減小尺寸及提高集成度。此外，BSI圖像傳感器具有低操作電壓、低功率消耗、高量子效率、低讀出噪聲且允許隨機(jī)存取。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種背照式(BSI)圖像傳感器包括：襯底，其包括正面及與所述正面對(duì)置的背面；多個(gè)像素傳感器，其布置成陣列；隔離柵格，其安置于所述襯底中且使所述多個(gè)像素傳感器彼此分離；及反射柵格，其在所述襯底的所述背面上安置于所述隔離柵格上方，且所述反射柵格的深度小于所述隔離柵格的深度。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種背照式(BSI)圖像傳感器包括：襯底；像素傳感器；及混合隔離，其在所述襯底中包圍所述像素傳感器，且所述混合隔離包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及至少覆蓋所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的介電層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種背照式(BSI)圖像傳感器包括：襯底，其包括正面及與所述正面對(duì)置的背面；像素傳感器；彩色濾光器，其對(duì)應(yīng)于所述像素傳感器且在所述背面上安置于所述襯底上方；第一混合隔離，其在所述襯底中包圍所述像素傳感器；及第二混合隔離，其在所述襯底的所述背面上包圍所述彩色濾光器。

附圖說(shuō)明

從結(jié)合附圖閱讀的以下詳細(xì)描述最佳理解本揭露的方面。應(yīng)注意，根據(jù)業(yè)界常規(guī)做法，各種構(gòu)件未按比例繪制。實(shí)際上，為使討論清楚，可任意增大或減小各種構(gòu)件的尺寸。

圖1為根據(jù)一或多個(gè)實(shí)施例中的本揭露的方面的半導(dǎo)體圖像傳感器的一部分的俯視圖。

圖2為根據(jù)一或多個(gè)實(shí)施例中的本揭露的方面的沿圖1的線A-A'取得的半導(dǎo)體圖像傳感器的一部分的橫截面圖。

圖3為根據(jù)一或多個(gè)實(shí)施例中的本揭露的方面的半導(dǎo)體圖像傳感器的一部分的橫截面圖。

圖4為根據(jù)一或多個(gè)實(shí)施例中的本揭露的方面的半導(dǎo)體圖像傳感器的一部分的橫截面圖。

圖5為根據(jù)一或多個(gè)實(shí)施例中的本揭露的方面的半導(dǎo)體圖像傳感器的一部分的橫截面圖。

圖6為表示用于制造根據(jù)本揭露的方面的半導(dǎo)體圖像傳感器的方法的流程圖。

圖7A到7H繪示根據(jù)一或多個(gè)實(shí)施例中的本揭露的方面所構(gòu)造的各種制造階段中的半導(dǎo)體圖像傳感器的一部分的一系列橫截面圖。

具體實(shí)施方式

以下揭露提供用于實(shí)施所提供標(biāo)的的不同特征的諸多不同實(shí)施例或?qū)嵗?。下文將描述元件及布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本揭露。當(dāng)然，此些僅為實(shí)例且不意在限制。例如，在以下描述中，“使第一構(gòu)件形成于第二構(gòu)件上方或第二構(gòu)件上”可包含其中形成直接接觸的所述第一構(gòu)件及所述第二構(gòu)件的實(shí)施例，且也可包含其中額外構(gòu)件可形成于所述第一構(gòu)件與所述第二構(gòu)件之間使得所述第一構(gòu)件及所述第二構(gòu)件可不直接接觸的實(shí)施例。另外，本揭露可在各種實(shí)例中重復(fù)元件符號(hào)及/或字母。此重復(fù)旨在簡(jiǎn)化及清楚且其本身不指示所討論的各種實(shí)施例及/或配置之間的關(guān)系。