[發明專利]背照式BSI圖像傳感器在審
| 申請號: | 201811139872.0 | 申請日: | 2018-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN109728011A | 公開(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發明(設計)人: | 周耕宇;江偉杰;王銓中;曾建賢;橋本一明 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 蔣林清 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 隔離柵格 襯底 像素傳感器 反射柵格 背照式 背面 彼此分離 安置 | ||
1.一種背照式BSI圖像傳感器,其包括:
襯底,其包括正面及與所述正面對置的背面;
多個像素傳感器,其布置成陣列;
隔離柵格,其安置于所述襯底中且使所述多個像素傳感器彼此分離;及
反射柵格,其在所述襯底的所述背面上安置于所述隔離柵格上方,且所述反射柵格的深度小于所述隔離柵格的深度。
2.根據權利要求1所述的BSI圖像傳感器,其進一步包括在所述背面上安置于所述襯底上方的多個彩色濾光器。
3.根據權利要求2所述的BSI圖像傳感器,其進一步包括安置于所述彩色濾光器之間且使所述彩色濾光器彼此分離的低n柵格。
4.一種背照式BSI圖像傳感器,其包括:
襯底;
像素傳感器;及
混合隔離,其在所述襯底中包圍所述像素傳感器,且所述混合隔離包括:
導電結構;及
介電層,其至少覆蓋所述導電結構的側壁。
5.根據權利要求4所述的BSI圖像傳感器,其中所述混合隔離的厚度大體上等于或小于所述襯底的厚度。
6.根據權利要求4所述的BSI圖像傳感器,其中所述混合隔離進一步包括安置于所述襯底中的第一絕緣結構。
7.根據權利要求6所述的BSI圖像傳感器,其進一步包括在所述背面上安置于所述襯底上方的第二絕緣結構。
8.一種背照式BSI圖像傳感器,其包括:
襯底,其包括正面及與所述正面對置的背面;
像素傳感器;
彩色濾光器,其對應于所述像素傳感器且在所述背面上安置于所述襯底上方;
第一混合隔離,其在所述襯底中包圍所述像素傳感器;及
第二混合隔離,其在所述襯底的所述背面上包圍所述彩色濾光器。
9.根據權利要求8所述的BSI圖像傳感器,其中從平面圖看,所述第二混合隔離與所述第一混合隔離重疊。
10.根據權利要求8所述的BSI圖像傳感器,其中所述第一混合隔離包括第一導電結構及第一絕緣結構,且所述第二混合隔離包括第二導電結構及第二絕緣結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





