[發明專利]基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質

在審

• 申請號: 201811139670.6
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN109585337A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 佐藤秀明;大野宏樹;西脇良典;稻田尊士;河野央
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質，能夠提高對氮化硅膜進行蝕刻的選擇性并且抑制硅氧化物的析出。實施方式所涉及的基板處理裝置具備SiO₂析出防止劑供給部和控制部。SiO₂析出防止劑供給部供給要混合到在基板處理槽中進行蝕刻處理的磷酸處理液中的SiO₂析出防止劑。控制部基于磷酸處理液的溫度來設定磷酸處理液中含有的SiO₂析出防止劑的濃度，并且控制SiO₂析出防止劑的供給量，使得成為所設定的SiO₂析出防止劑的濃度。

技術領域

公開的實施方式涉及一種基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質。

背景技術

以往，已知在基板處理裝置中進行通過使基板浸在磷酸處理液中來對形成在基板上的氮化硅膜(SiN)和硅氧化膜(SiO₂)中的氮化硅膜選擇性地進行蝕刻的蝕刻處理(參照專利文獻1)。

已知的是，在上述蝕刻處理中，當磷酸處理液的硅濃度變高時，對氮化硅膜進行蝕刻的選擇性提高。另一方面，已知的是，當磷酸處理液的硅濃度過高時，硅氧化物(SiO₂)析出到硅氧化膜上。

因此，在上述基板處理裝置中，進行調整以使磷酸處理液的硅濃度處于固定的范圍內。

專利文獻1：日本特開2013-232593號公報

發明內容

發明要解決的問題

然而，在上述基板處理裝置中，在提高對氮化硅膜進行蝕刻的選擇性并且抑制硅氧化物的析出方面存在改善的余地。

實施方式的一個方式的目的在于提供一種提高對氮化硅膜進行蝕刻的選擇性并且抑制硅氧化物的析出的基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質。

用于解決問題的方案

實施方式的一個方式所涉及的基板處理裝置具備SiO₂析出防止劑供給部和控制部。SiO₂析出防止劑供給部供給要混合到在基板處理槽中進行蝕刻處理的磷酸處理液中的SiO₂析出防止劑。控制部基于磷酸處理液的溫度來設定磷酸處理液中含有的SiO₂析出防止劑的濃度，并且控制SiO₂析出防止劑的供給量，使得成為所設定的SiO₂析出防止劑的濃度。

發明的效果

根據實施方式的一個方式，能夠提高對氮化硅膜進行蝕刻的選擇性并且抑制硅氧化物的析出。

附圖說明

圖1是基板處理裝置的概要俯視圖。

圖2是表示蝕刻用的處理槽的供給系統的結構的概要框圖。

圖3是表示蝕刻用的處理槽的排氣系統的結構的概要框圖。

圖4是說明蝕刻處理的流程圖。

圖5是說明第二蝕刻處理中的SiO₂析出防止劑的供給方法的流程圖。

圖6是表示第一蝕刻液的溫度與SiO₂析出防止劑的濃度之間的關系的表。

圖7是說明蝕刻用的處理槽的排氣處理的流程圖。

附圖標記說明