[發(fā)明專利]基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質(zhì)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811139670.6
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN109585337A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 佐藤秀明;大野宏樹;西脇良典;稻田尊士;河野央
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種基板處理裝置，其特征在于，具備：

SiO₂析出防止劑供給部，其供給要混合到在基板處理槽中進(jìn)行蝕刻處理的磷酸處理液中的SiO₂析出防止劑；以及

控制部，其基于所述磷酸處理液的溫度來設(shè)定所述磷酸處理液中含有的SiO₂析出防止劑的濃度，并且控制所述SiO₂析出防止劑的供給量，使得成為所設(shè)定的所述SiO₂析出防止劑的濃度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

當(dāng)在所述SiO₂析出防止劑未被混合到所述磷酸處理液中的狀態(tài)下所述磷酸處理液的硅濃度成為規(guī)定硅濃度以上時，所述控制部供給所述SiO₂析出防止劑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制部基于所述蝕刻處理的處理時間來控制所述SiO₂析出防止劑的供給量。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制部檢測所述磷酸處理液中含有的所述SiO₂析出防止劑的濃度，

所述控制部基于檢測出的所述SiO₂析出防止劑的濃度來控制所述SiO₂析出防止劑的供給量。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述基板處理裝置具備：

酸類處理部，其將從所述基板處理槽排出的排放氣體中的酸類物質(zhì)去除；以及

有機類處理部，其將從所述基板處理槽排出的排放氣體中的有機類物質(zhì)去除。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，

具備切換部，所述切換部使所述排放氣體選擇性地流入并列地配置的所述酸類處理部和所述有機類處理部中的一方。

7.一種基板處理方法，其特征在于，包括以下工序：

供給要混合到在基板處理槽中進(jìn)行蝕刻處理的磷酸處理液中的SiO₂析出防止劑；以及

基于所述磷酸處理液的溫度來設(shè)定所述磷酸處理液中含有的SiO₂析出防止劑的濃度，并且控制所述SiO₂析出防止劑的供給量，使得成為所設(shè)定的所述SiO₂析出防止劑的濃度。

8.一種存儲介質(zhì)，其存儲有使計算機執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理方法的程序。