[發(fā)明專利]顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811139025.4
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN110033710A
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳立宜
• 申請（專利權(quán)）人: 美科米尚技術(shù)有限公司
• 主分類號: G09F9/33
• 分類號: G09F9/33;H01L33/36;H01L33/02
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張琳

1.一種顯示裝置，其特征在于，包括：

基板；

至少一個接合電極；

至少一個發(fā)光二極管元件，電性連接所述接合電極，其中所述接合電極在所述發(fā)光二極管元件和所述基板之間，且所述發(fā)光二極管元件包括：

p型半導(dǎo)體層，包括低阻值部位以及高阻值部位，其中所述低阻值部位由所述高阻值部位所包圍，且所述p型半導(dǎo)體層的阻值由所述低阻值部位朝向所述高阻值部位增加；

n型半導(dǎo)體層，其中所述p型半導(dǎo)體層在所述n型半導(dǎo)體層和所述接合電極之間；以及

中介層，在所述p型半導(dǎo)體層和所述接合電極之間；以及

透明導(dǎo)電層，電性連接所述n型半導(dǎo)體層，其中所述發(fā)光二極管元件在所述透明導(dǎo)電層和所述接合電極之間。

2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述中介層包括歐姆接觸層電性連接所述p型半導(dǎo)體層。

3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述中介層包括反射層。

4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述中介層包括接合層。

5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還包括：

隔離層，在所述接合電極和所述發(fā)光二極管元件的周圍，其中所述n型半導(dǎo)體層的至少一個部位由所述隔離層暴露出，且電性耦接所述透明導(dǎo)電層。

6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，所述隔離層的頂面低于所述n型半導(dǎo)體層的頂面。

7.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，所述隔離層的頂面高于所述n型半導(dǎo)體層的頂面。

8.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，所述隔離層的頂面的第一部位低于所述n型半導(dǎo)體層的頂面，且所述隔離層的所述頂面的第二部位高于所述n型半導(dǎo)體層的所述頂面。

9.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還包括：

至少一個陰極母線，其中所述n型半導(dǎo)體層通過所述透明導(dǎo)電層電性連接所述陰極母線，且所述陰極母線具有至少一個部位在所述透明導(dǎo)電層和所述基板之間。

10.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還包括：

第一絕緣層，其中所述透明導(dǎo)電層在所述第一絕緣層和所述基板之間，所述發(fā)光二極管元件具有第一折射率，所述第一絕緣層具有第二折射率，且所述第一折射率大于所述第二折射率。

11.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，還包括：

封裝層，其中所述第一絕緣層在所述封裝層和所述基板之間。

12.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，還包括：

第二絕緣層，其中所述第一絕緣層的至少一個部位在所述第二絕緣層和所述基板之間，所述第二絕緣層具有第三折射率，且所述第二折射率大于所述第三折射率。

13.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于，還包括：

封裝層，其中所述第二絕緣層的至少一個部位在所述封裝層和所述第一絕緣層之間。

14.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述發(fā)光二極管元件的數(shù)量至少為二；

還包括：

光學(xué)隔離結(jié)構(gòu)，在兩個所述發(fā)光二極管元件之間。

15.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述發(fā)光二極管元件的數(shù)量為多個；

還包括：

至少兩個像素，其中每個所述像素包括所述發(fā)光二極管元件中的至少兩個；以及

光學(xué)隔離結(jié)構(gòu)，在所述兩個像素之間。