[發明專利]顯示裝置

在審

• 申請號: 201811139025.4
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN110033710A
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 陳立宜
• 申請（專利權）人: 美科米尚技術有限公司
• 主分類號: G09F9/33
• 分類號: G09F9/33;H01L33/36;H01L33/02
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張琳

本發明是關于一種顯示裝置，其包括基板、至少一個接合電極、電性連接接合電極的至少一個發光二極管元件以及透明導電層。接合電極在發光二極管元件和基板之間。發光二極管元件包括n型半導體層、在n型半導體層和接合電極之間的p型半導體層以及中介層。p型半導體層包括高阻值部位以及由高阻值部位所包圍的低阻值部位。p型半導體層的阻值由低阻值部位朝向高阻值部位增加。中介層在p型半導體層和接合電極之間。透明導電層電性連接n型半導體層。發光二極管元件在透明導電層和接合電極之間。

技術領域

本發明涉及一種顯示裝置，尤其是涉及一種具有發光二極管的顯示裝置。

背景技術

近年來，發光二極管(LEDs)已在一般和商業照明應用中流行起來。作為光源，發光二極管有很多優點，包括低能耗、長壽命、小尺寸和快速切換，因此傳統照明，例如白熾燈，逐漸被發光二極管燈具所取代。

發明內容

本發明的目的在于克服現有的顯示裝置存在的缺陷，而提供一種改進的顯示裝置，發光效率可獲得改善，從而更加適于實用。

本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。

依據本發明提出的一種顯示裝置包括基板、至少一個接合電極、至少一個發光二極管元件以及透明導電層。發光二極管元件電性連接接合電極。接合電極在發光二極管元件和基板之間。發光二極管元件包括p型半導體層、n型半導體層以及中介層。p型半導體層包括低阻值部位以及高阻值部位。低阻值部位由高阻值部位所包圍。p型半導體層的阻值由低阻值部位朝向高阻值部位增加。p型半導體層在n型半導體層和接合電極之間。中介層在p型半導體層和接合電極之間。透明導電層電性連接n型半導體層。發光二極管元件在透明導電層和接合電極之間。

本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。

前述的顯示裝置中，中介層包括歐姆接觸層電性連接p型半導體層。

前述的顯示裝置中，中介層包括反射層。

前述的顯示裝置中，中介層包括接合層。

前述的顯示裝置中，顯示裝置還包括隔離層。隔離層在接合電極和發光二極管元件的周圍。n型半導體層的至少一個部位由隔離層暴露出，且電性耦接透明導電層。

前述的顯示裝置中，隔離層的頂面低于n型半導體層的頂面。

前述的顯示裝置中，隔離層的頂面高于n型半導體層的頂面。

前述的顯示裝置中，隔離層的頂面的第一部位低于n型半導體層的頂面。隔離層的頂面的第二部位高于n型半導體層的頂面。

前述的顯示裝置還包括至少一個陰極母線。n型半導體層通過透明導電層電性連接陰極母線。陰極母線具有至少一個部位在透明導電層和基板之間。

前述的顯示裝置還包括第一絕緣層。透明導電層在第一絕緣層和基板之間。發光二極管元件具有第一折射率。第一絕緣層具有第二折射率。第一折射率大于第二折射率。

前述的顯示裝置還包括封裝層。第一絕緣層在封裝層和基板之間。

前述的顯示裝置還包括第二絕緣層。第一絕緣層的至少一個部位在第二絕緣層和基板之間。第二絕緣層具有第三折射率。第二折射率大于第三折射率。

前述的顯示裝置還包括封裝層。第二絕緣層的至少一個部位在封裝層和第一絕緣層之間。

前述的顯示裝置中，發光二極管元件的數量至少為二。顯示裝置還包括光學隔離結構。光學隔離結構在兩個發光二極管元件之間。

前述的顯示裝置中，發光二極管元件的數量為多個。顯示裝置還包括至少兩個像素以及光學隔離結構。每個像素包括發光二極管元件中的至少兩個。光學隔離結構在兩個像素之間。