[發(fā)明專利]一種SiO2 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811138032.2 | 申請日: | 2018-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN109161890B | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李偉洲;陳泉志;凌奎;莫秋鳳;張宇杰;韋景泉 | 申請(專利權(quán))人: | 廣西大學(xué);廣西南寧金鉑洲材料有限公司 |
| 主分類號: | C23C28/04 | 分類號: | C23C28/04;C25D11/02;C25D11/06;C25D11/24;C25D11/26 |
| 代理公司: | 廣西南寧公平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 45104 | 代理人: | 韋錦捷 |
| 地址: | 530004 廣西壯族*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 sio base sub | ||
本發(fā)明公開了一種SiO2微弧氧化復(fù)合涂層及其制備方法,首先在閥金屬工件表面進行預(yù)處理,利用微弧氧化技術(shù)在閥金屬工件表面制備一層多孔微弧氧化膜,再通過激光重熔技術(shù)把SiO2顆粒熔融后填充在微弧氧化膜孔內(nèi),可以發(fā)揮陶瓷微弧氧化膜的耐高溫、抗氧化等優(yōu)異性能,又具有SiO2涂層的隔熱性能。SiO2在多孔微弧氧化膜中呈非連續(xù)性結(jié)構(gòu),有效避免了由應(yīng)力造成的開裂、剝落缺陷,并顯著提高復(fù)合涂層的致密度,從而提高其抗氧化性、耐蝕性等。本發(fā)明的制備方法工藝簡單且重復(fù)性好,可大面積制備,為SiO2涂層的制備開辟新方法。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及閥金屬表面處理與防護技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種SiO2微弧氧化復(fù)合涂層及其制備方法。
技術(shù)背景
SiO2涂層具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性,是酸性氧化物,具有較強的耐酸性;疏水性較好,不與水反應(yīng)。此外,SiO2隔熱性能好,還具高溫自愈性能,在高溫抗氧化防護具有廣闊的應(yīng)用前景。目前常用的SiO2涂層制備方法有溶膠凝膠法,真空蒸鍍,以及以添加劑形式通過其他工藝制備復(fù)合涂層。例如,申請?zhí)?01510835077.5公布的一種在電子設(shè)備殼體上使用真空鍍膜技術(shù)制備SiO2膜,但是此方法制備的SiO2膜只有左右,而且其工藝程序復(fù)雜,制備氣氛要求苛刻。申請?zhí)?01310233416.3公開的一種SiO2氣凝膠/多孔Si3N4復(fù)合材料的制備方法,但是該方法并未能制備成防護涂層,制備方法復(fù)雜困難,并且容易開裂、剝落。申請?zhí)?01510584793.0公開的一種在鑄造鋁合金表面微弧氧化制備納米SiO2的涂層及其方法,但是該方法所得到的涂層含SiO2顆粒的量較少且分散,對涂層的性能提升有限。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是在閥金屬表面制備一層隔熱、耐蝕等性能優(yōu)異的涂層,利用激光重熔與微弧氧化技術(shù),提供一種SiO2微弧氧化復(fù)合涂層及其制備方法。
本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種SiO2微弧氧化復(fù)合涂層,所述復(fù)合涂層是以閥金屬工件表面的微弧氧化膜為骨架,利用激光重熔技術(shù)把SiO2顆粒熔融后填充其孔內(nèi)而成;所述SiO2在微弧氧化膜中呈非連續(xù)性結(jié)構(gòu)。
所述SiO2微弧氧化復(fù)合涂層的制備方法,包括以下步驟:
(1)微弧氧化膜制備:將閥金屬工件表面打磨至1200目,并在丙酮或酒精超聲波清洗后室溫風(fēng)干;以閥金屬工件為陽極,不銹鋼槽作為陰極,配置電解液,采用交流恒壓模式或者恒流模式對金屬工件進行微弧氧化處理,設(shè)定電參數(shù);處理結(jié)束后用蒸餾水清洗閥金屬工件表面殘余的電解液,室溫風(fēng)干,制得微弧氧化膜;
(2)SiO2顆粒預(yù)封孔:利用無水乙醇將SiO2顆粒分散,制成懸浮液,并添加表面活性劑;將步驟(1)所制備得到的微弧氧化膜的閥金屬工件置于配好的SiO2顆粒溶液中,采用超聲波輔助,加速SiO2顆粒進入微弧氧化膜的放電孔洞內(nèi),以達到封孔的效果;
(3)激光重熔處理:經(jīng)步驟(2)處理后再利用激光設(shè)備產(chǎn)生的高能激光束對閥金屬工件表面微弧氧化膜進行激光掃描處理,使納米SiO2顆粒熔融后填充在放電孔洞內(nèi),并與氧化膜結(jié)合或者摻雜在氧化膜內(nèi),提高微弧氧化涂層的致密性,制得SiO2微弧氧化復(fù)合涂層。
進一步地,所述步驟(1)的電解液成分包括:0.5~4g/L氫氧化鈉、0.5~5g/L氟化鈉、 1~3g/L六偏磷酸鈉、10~15g/L磷酸三鈉、10~15ml/L硅酸鈉的一種或其中幾種。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣西大學(xué);廣西南寧金鉑洲材料有限公司,未經(jīng)廣西大學(xué);廣西南寧金鉑洲材料有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811138032.2/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C28-00 用不包含在C23C 2/00至C23C 26/00各大組中單一組的方法,或用包含在C23C小類的方法與C25D小類中方法的組合以獲得至少二層疊加層的鍍覆
C23C28-02 .僅為金屬材料覆層
C23C28-04 .僅為無機非金屬材料覆層
- SiO蒸鍍材料、SiO原料用Si粉末及SiO的制造方法
- 含銀核殼結(jié)構(gòu)智能殺菌劑
- 一種用于SiO<sub>2r</sub>/SiO<sub>2</sub>復(fù)合陶瓷與金屬材料釬焊的工藝方法
- 一種SiO<sub>2</sub>減反射薄膜及其制備方法
- CVD SiC/SiO<sub>2</sub>梯度抗氧化復(fù)合涂層及其制備方法
- 一種用于SiO<sub>2</sub>陶瓷及SiO<sub>2</sub>陶瓷基復(fù)合材料連接的釬料及其制備方法
- 可固化組合物及其制法
- Ag/SiO
- 一種富硅SiOx-C材料及其制備方法和應(yīng)用
- 疏水型SiO<base:Sub>2f
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復(fù)相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復(fù)合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復(fù)合材料的制備方法





