[發明專利]一種SiO2 有效
| 申請號： | 201811138032.2 | 申請日： | 2018-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN109161890B | 公開（公告）日： | 2020-05-05 |
| 發明（設計）人： | 李偉洲;陳泉志;凌奎;莫秋鳳;張宇杰;韋景泉 | 申請（專利權）人： | 廣西大學;廣西南寧金鉑洲材料有限公司 |
| 主分類號： | C23C28/04 | 分類號： | C23C28/04;C25D11/02;C25D11/06;C25D11/24;C25D11/26 |
| 代理公司： | 廣西南寧公平知識產權代理有限公司 45104 | 代理人： | 韋錦捷 |
| 地址： | 530004 廣西壯族*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sio base sub | ||
1.一種SiO2微弧氧化復合涂層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)微弧氧化膜制備：將閥金屬工件表面打磨至1200目，并在丙酮或酒精超聲波清洗后室溫風干；以閥金屬工件為陽極，不銹鋼槽作為陰極，配置電解液，采用交流恒壓模式或者恒流模式對金屬工件進行微弧氧化處理，設定電參數；處理結束后用蒸餾水清洗閥金屬工件表面殘余的電解液，室溫風干，制得微弧氧化膜；
(2)SiO2顆粒預封孔：利用無水乙醇將SiO2顆粒分散，制成懸浮液，并添加表面活性劑；將步驟(1)所制備得到的微弧氧化膜的閥金屬工件置于配好的SiO2顆粒溶液中，采用超聲波輔助，加速SiO2顆粒進入微弧氧化膜的放電孔洞內，以達到封孔的效果；
(3)激光重熔處理：經步驟(2)處理后再利用激光設備產生的高能激光束對閥金屬工件表面微弧氧化膜進行激光掃描處理，使納米SiO2顆粒熔融后填充在放電孔洞內，并與氧化膜結合或者摻雜在氧化膜內，提高微弧氧化涂層的致密性，制得SiO2微弧氧化復合涂層。
2.根據權利要求1所述的SiO2微弧氧化復合涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)的電解液成分包括：0.5～4g/L氫氧化鈉、0.5～5g/L氟化鈉、1～3g/L六偏磷酸鈉、10～15g/L磷酸三鈉、10～15ml/L硅酸鈉的一種或其中幾種。
3.根據權利要求1所述的SiO2微弧氧化復合涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)的電參數為：正電壓為400～480V，負電壓為0～150V，正向電流密度為5～30A/dm2，負向電流密度為0～50A/dm2，正占空比為8～30％，負占空比0～30％，頻率為300～700Hz。
4.根據權利要求1所述的SiO2微弧氧化復合涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)SiO2顆粒的懸浮液濃度為0.5～3％；所述表面活性劑型號為SP-2分散劑，其濃度為0.5～2％；超聲波功率為300～500KHz。
5.根據權利要求1所述的SiO2微弧氧化復合涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)，具體為：激光功率為60～300W，激光掃描速度為80～300mm/min，搭接率為20～80％。
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