[發(fā)明專利]ESD保護電路及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811136885.2
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN109599395B
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發(fā)明（設計）人: Y·F·M·索拉羅;C·E·吉爾;蔡宗哲
• 申請（專利權）人: 新加坡商格羅方德半導體私人有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/8232
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導體裝置，包含：

一襯底，包括有一靜電放電保護電路的一裝置區(qū)；

一柵極，在該裝置區(qū)上面；

一源極區(qū)，在該裝置區(qū)中，具有在該柵極的第一側(cè)上橫向分離的一N+植入物與一P+植入物；以及

一漏極區(qū)，在該裝置區(qū)中，在該柵極與該第一側(cè)相反的第二側(cè)上；

另一N+植入物，其中，各N+植入物的一邊緣與該源極區(qū)的一相對邊緣對齊且該P+植入物在其之間橫向分離；以及

低電壓p型井，在形成該N+植入物及該P+植入物中的每一者之前形成于該裝置區(qū)中，以及其中，該N+植入物及該P+植入物與該另一N+植入物的一部分在該低電壓p型井中。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該P+植入物的一邊緣在該柵極的一邊緣上對齊，以及該P+植入物的長度包含50納米(nm)至500納米的長度。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該P+植入物與各N+植入物之間的分離包含80納米至100納米。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，在各N+植入物之間的該P+植入物的長度包含400納米至500納米的長度。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該靜電放電保護電路包含一橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管、柵極接地N型通道金屬氧化物半導體晶體管或BCD晶體管。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，進一步包含形成于該源極區(qū)上面的一接地墊。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該漏極區(qū)包含N+植入物。

8.一種制造半導體裝置的方法，該方法包含：

提供一襯底，具有有一靜電放電保護電路的一裝置區(qū)；

形成在該裝置區(qū)上面的一柵極；

形成在該裝置區(qū)中的一源極區(qū)，具有在該柵極的第一側(cè)上橫向分離的一N+植入物與一P+植入物；

形成在該裝置區(qū)中的一漏極區(qū)，在該柵極與該第一側(cè)相反的第二側(cè)上；

形成在該源極區(qū)中的另一N+植入物，其中，各N+植入物有一邊緣與該源極區(qū)的一相對邊緣對齊且該P+植入物在其之間橫向分離；以及

在形成該N+植入物及該P+植入物中的每一者之前，形成在該裝置區(qū)中的一低電壓p型井，以及其中，該N+植入物及該P+植入物與該另一N+植入物的一部分形成于該低電壓p型井中。

9.如權利要求8所述的方法，包含：形成該P+植入物，具有一邊緣在該柵極的一邊緣上對齊且有50納米(nm)至500納米的長度。

10.如權利要求8所述的方法，包含：形成分開80納米至100納米的該P+植入物及各N+植入物。

11.如權利要求8所述的方法，包含：形成在各N+植入物之間有400納米至500納米的長度的該P+植入物。

12.如權利要求8所述的方法，其特征在于，該靜電放電保護電路包含一橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管、柵極接地N型通道金屬氧化物半導體晶體管或BCD晶體管。

13.如權利要求8所述的方法，進一步包含：形成在該源極區(qū)上面的一接地墊。

14.如權利要求8所述的方法，包含：用一N+摻雜物植入該漏極區(qū)。