[發明專利]電子封裝件及其制法

有效

• 申請號: 201811136514.4
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN110931450B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 葉育瑋;林彥宏;廖芷苡;邱志賢
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/48;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

一種電子封裝件及其制法，通過于配置有電子元件的承載結構上形成保護層，再以包覆層包覆該電子元件與該保護層，接著于該包覆層形成穿孔，并使該穿孔延伸貫穿該保護層，以令該承載結構的部分表面外露于該穿孔，之后將導電結構形成于該穿孔中以電性連接該承載結構，俾經由該保護層的設計，以于形成該穿孔時，該保護層的緩沖效果可防止激光直接連續燒穿該包覆層與該保護層，避免損壞該承載結構。

技術領域

本發明有關一種半導體封裝技術，尤指一種電子封裝件及其制法。

背景技術

隨著電子產業的蓬勃發展，電子產品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。

目前貫穿膠體(Through molding via，簡稱TMV)的技術已廣泛運用于半導體封裝制程領域，其主要技術利用激光燒灼方式于封裝膠體表面進行開孔制程，以顯露出位于封裝膠體下的電性接點(如線路或電性連接墊)。

如圖1A所示，一具有多個線路層101的封裝基板10設于一支撐件1上，且該封裝基板10上設有一芯片11與一封裝膠體12，并使該封裝膠體12包覆該芯片11。接著，利用激光鉆孔方式貫穿該封裝膠體 12，以形成多個穿孔120，令部分該線路層101(即電性連接墊)外露于該穿孔120。之后，形成如銅的導電材于該穿孔120中，以作為外接點，俾制成半導體封裝件。最后，移除該支撐件1，以于后續制程中，該半導體封裝件經由該些外接點接置一如電路板或另一封裝件的電子裝置。

然而，悉知穿孔120的制作方式中，激光鉆孔方式不易控制功率與時間(于靠近該線路層101時需降低功率或減緩速度)，致使該線路層101容易燒壞(如圖1B所示的線路層101的凹狀表面)，甚至燒穿該線路層101，造成后續所形成的導電材與該線路層101之間的電性連接不良，導致短路或斷路的問題，甚而降低封裝產品的可靠度。

因此，如何克服上述悉知技術的問題，實已成目前亟欲解決的課題。

發明內容

鑒于上述悉知技術的缺失，本發明提供一種電子封裝件及其制法，可提升電子封裝件的可靠度。

本發明的電子封裝件，包括：承載結構，其具有外露的線路層；電子元件，其設于該承載結構上；保護層，其形成于該承載結構上以覆蓋該線路層；包覆層，其形成于該承載結構上且包覆該電子元件與該保護層，其中，該包覆層形成有穿孔，并使該穿孔延伸貫穿該保護層，以令該承載結構的部分表面外露于該穿孔；以及導電結構，其形成于該穿孔中且電性連接該承載結構的線路層。

本發明又提供一種電子封裝件的制法，其包括：設置電子元件于一具有線路層的承載結構上，且形成保護層于該承載結構上，并使該保護層覆蓋該線路層；以包覆層包覆該電子元件與該保護層；形成穿孔于該包覆層上，并使該穿孔延伸貫穿該保護層，以令該承載結構的部分表面外露于該穿孔；以及形成導電結構于該穿孔中，使該導電結構電性連接該承載結構的線路層。

前述的電子封裝件的制法中，該穿孔的制程包括：以第一激光形成第一開孔于該包覆層上，使該保護層外露于該第一開孔；以及以第二激光形成第二開孔于該保護層上，使該承載結構的第二側的部分表面外露于該第二開孔，以令該第一開孔與該第二開孔作為該穿孔。例如，該第一激光的光強度大于該第二激光的光強度。

前述的電子封裝件及其制法中，該承載結構為線路重布層結構。

前述的電子封裝件及其制法中，該保護層覆蓋該線路層的上表面及側面。或者，該保護層覆蓋該線路層的上表面。

前述的電子封裝件及其制法中，該承載結構為封裝基板。

前述的電子封裝件及其制法中，該包覆層的材質不同于該保護層的材質。

前述的電子封裝件及其制法中，該導電結構為焊錫材料或導電柱。

前述的電子封裝件及其制法中，形成該保護層的材質為非金屬材。例如，該非金屬材為防焊層、底膠或兩者組合。